导体介质教案.docVIP

PAGE PAGE 205 第九章 导体和电介质 教学目标和基本要求： （1）了解静电场中导体的静电平衡条件以及静电屏蔽现象。了解电介质的极化、现象及其微观解释。了解介质中的高斯定理和安培环路定理。 （2）理解电容的定义及其物理意义。 （3）了解静电场的物质性。理解电能密度的概念。在一些简单的对称情况下，能计算静电场里贮存的场能。 2．教学内容： §9-1 静电场中的导体 §9-2 电介质 电介质中的高斯定理 §9-3 电容器 §9-4 静电场中的能量 学时：5学时； 教学重点： 1、理解静电场中导体的静电平衡条件 2、理解电位移矢量、介质中的高斯定理及其应用 3、理解电容和电容器的概念，掌握电容的计算 4、理解电场能量和电能密度 教学难点： 静电场中导体的静电平衡条件，电位移矢量和介质中的高斯定理。 4，教学内容的深化和拓宽： 5．教学方式：课堂教学。 6．主要参考书：唐南 王佳眉主编《大学物理学》，高等教育出版社，2003。 第一单元 导体和电介质 § 9-1 静电场中的导体 导体、静电感应、感应电荷、附加电场、静电平衡 一 导体静电平衡条件 导体达到静电平衡后，导体的电场及电荷分布满足一定的条件： 1 场强条件 静电平衡导体中的电场强度为零，导体表面的场强与表面垂直（见图9-2）。 (a) 原来的电场 (b) 放入导体球后的电场 图9-2 均匀电场中的导体球 2 电势条件 静电平衡的导体是一个等势体，表面是一个等势面。 推论一 静电平衡导体内各处的净电荷为零，电荷只分布于导体表面。 推论二 静电平衡导体表面附近的电场强度的大小与表面电荷密度的关系为： 例9.1 有两块面积较大的导体薄板平行放置，它们的面积均为S，距离为d，见图9-3。若给a板电荷Qa，b板电荷Qb，(1)求导体板四个表面的电荷分布、空间的场强分布及两板之间的电势差；(2) 若将b板接地，再求电荷分布、场强分布及两板的电势差。 二 导体空腔 静电屏蔽 图9-6 空腔处电荷对空腔内无影响 一个达到静电平衡的导体空腔能隔断空腔内和空腔外电荷的相互影响，这称之为静电屏蔽。 三种静电屏蔽现象： 1、空腔外电荷对空腔内无影响（如图9-6所示情况。） 2、接地空腔导体内电荷对空腔外无影响图9-7(a) 3、导体空腔屏蔽了空腔内、外电荷的相互影响（图9-8所示情况。） 图9-7 空腔内电荷对空腔外无影响 图9-8 导体空腔屏蔽了内、外电荷的相互影响 图9-9 例9.2图 例9.2 一半径为R1的导体球带有电量q，球外有一内、外半径分别为R2和R3的同心导体球壳带电为Q；(1) 求导体球和和球壳的电势；(2) 若用导线连接球和球壳，再求它们的电势；(3) 若不是连接而是使外球接地，再求它们的电势。 例9.3 一半径为R的导体球原来不带电，在球外距球心为d处放一点电荷，求球电势。若将球接地，求其上的感应电荷。 作业：9-4、6、12、14、16 第二单元 § 9-2 电介质 介质中的高斯定理 一 介质的极化 1、有极分子的取向极化。 2、无极分子的位移极化。 二 介质中的电场 当介质均匀地充满电场后，介质中任一点的合电场强度E为原来真空中的电场强度的分之一，即 ， 即有 ，又由于 对比可知。即自由电荷和束缚电荷的总和等于自由电荷的。 点电荷周围的极化电荷电量 定义为介质的介电常量，则介质中的点电荷电场(9-3)式为 三 介质中的高斯定理 用均匀充满情况来说明： ，于是有：。 1、电位移矢量 即在电场中的任意一点，电位移矢量等于该点介质的介电常数与电场强度E之积。 2、介质中的高斯定理（D高斯定理） 3、电力线（简称D线。） 图9-13 E线和D线 D线的方向表示D的方向，D线的密度表示D的大小。D线发自于正的自由电荷，终止于负自由电荷。D线与E线见图9-13、图9-14 电位移矢量的单位是c/m2即库仑每平方米。 图9-15 例9.4图 例9.4 若导体外有介质，求证，导体表面附近的电位移矢量与导体表面电荷面密度的关系为。 四 介质中的高斯定理的应用 用介质中的D高斯定理求电荷对称分布电场。 图9-16 例9.5图 例9.5 半径为r1的导体球带电为，球外有一层内径为r1外径为r2的各向同性均匀介质，介电常量为，见图9-16。求介质中和空气中的场强分布和电势分布。 § 9-3 电容器 电容器的引入： 电容器的概念（图9-17），电容器的两个极板。 两极间的电压V与电量Q成正比 图9-17 电容器的概念 一 常见电容器 1、平板电容器 平板电容器的电容为 (9-11) 为介质的电容率，为真空的电容率。 2、圆柱形电容器