华中科技大学CMOS拉扎维第二章课后作业标准答案中文版.docVIP

超 超大规模集成电路与系统研究中心 PAGE PAGE 3 CMOS Analog DesignHome work 1 Solution By: 张涛（ tomjerry@126.com） 2007年3月18日 作业内容： 一、书本上的习题 2.2 2.5 (a)、(b)、(c) 2.6 (a)、(b) 2.7 2.15 2.8 2.18 2.24 参考解答过程 2.2. （1）对于NMOS，工作在饱和区时，有： = = （忽略沟长调制效应） =3.66mAV =20 A==73.3 （2）对于PMOS，公式基本同上 = = （忽略沟长调制效应） =1.96mAV =10 A==19.6 2.5 a.若不考虑二级效应，则 = 实际情况下，由于衬偏效应会影响 IX~VX曲线图 b. （1）当0〈〈1时， S、D反向 VGS-VTH=1.2-VX 〉VDS 此时，NMOS处于S、D方向的三极管区 （2）当1〈〈1.2时， VGS-VTH=0.2VDS=VX-1 （未考虑衬偏效应） 此时，NMOS处于正向导通的三极管区 IX= （3）当VX 1.2时 NMOS处于饱和区 = IX~VX曲线图 未考虑衬偏效应时的曲线 若考虑衬偏效应，则VTH增大，当衬偏效应比较小，反向后仍有VGSVTH， 曲线同上，当衬偏效应比较大时，VGSVTH，则MOS管在反向之后一直截止，曲线如下： IX~VX曲线图 考虑衬偏效应时的曲线 （c） （1）0Vx0.3时，MOS管反向导通。（未考虑衬偏效应） VGS=1-VX VDS=1.9-VX VGS-VTH=0.3-VXVDS=1.9-VX NMOS处于反向导通的饱和区 此时Ix=- （2）当VX 0.3?时，MOS管截止 IX~VX曲线图 考虑衬偏效应后，曲线与X轴的交点会该变位置 2.6 |VGS|= |VDS|= 所以|VDS||VGS|-|VTH| PMOS处于饱区 = Gm= = ID~VX曲线图 Gm与VX曲线图 |VGS|= |VDS|= 所以VDSVGS-VTH PMOS处于饱区 = Gm= = ID~VX曲线图 Gm与VX曲线图 2.7 （为了简化运算和分析，这里没有考虑二级效应） 1.VOUT有电流通过R1产生，电路工作时，S、D反向。 （1）当0〈VIN〈0.7时， MOS管截止 VOUT=0 （2）当0.7〈VIN〈1.7 VGS-VTH=VIN-VOUT-0.7 VDS=1-VOUT VGS-VTH〈VDS MOS管处于反向导通的饱和区 Vout= （3）当1.7〈VIN〈3 VGS-VTH 〉VDS MOS管处于反向导通的三极管区 Vout= VOUT~VIN 曲线图 2. VOUT有电流通过R1产生，电路工作时，S、D反向。 (1).当0〈VIN〈1.3时 VDS=VIN-VOUT〈VGS-VTH NMOS处于反向导通的三极管区 VOUT=IxR1=R1 (2)当1.3〈VIN〈3 NMOS处于反向饱区 VOUT=IxR1=R1 VOUT~VIN 曲线图 2.8 （a）VS=VDD-VOUT VB=VIN VSB=VDD-VOUT-VIN MOS管处于二极管连接形式的饱和区 其中 所以 = I1是恒流源，为定值，因此，可以得到VOUT和VIN的关系，见下图 VOUT~VIN 曲线图 （b） VGS=2-1=1 VDS=VOUT-1 VSB=1-VIN 当M1处于饱和区边缘时，有 VGS-VTH=VDS 1-=VOUT-1 （1） VOUT= = （2） 由（1）（2）则可以解出临界VIN0 1.当0〈VIN〈VIN0时 VGS-VTH〈VDS M1处于饱和区 VOUT= 代入VGS、VTH可得到VIN~VOUT关系 2. .当VIN0〈VIN〈VIN1时 VGS-VTH 〉VDS M1处于线性区 VOUT= 3.当VIN〉VIN1时， VGS〈VTH M1处于截止区 代入VGS、VTH、VDS可以得到VI