第5章 晶体管基本放大电路3.ppt

Rds的值很大，可以忽略。 * 1.场效应管利用栅源电压控制漏极电流，是电压控制元件，栅极基本不取电流（很小），输入回路电阻很大； 晶体管利用基极电流控制集电极电流，是电流控制元件，基极索取一定电流，输入阻抗较小。 2.晶体管的放大倍数通常比场效应管大。 3.场效应管只有多子导电，而晶体管多子和少子均参与导电，场效应管比晶体管热稳定性好、抗辐射能力强。 4.场效应管比晶体管噪声系数小。 5.场效应管源极、漏极可以互换使用，互换后特性变化不大；而晶体管的发射极和集电极互换后特性差异很大,一般不能互换使用。 6. 场效应管的种类比晶体管多，特别对于耗尽型MOS管，栅-源控制电压可正可负，均能控制漏极电流。 7. 场效应管和晶体管均可用于放大电路和开关电路，但场效应管具有集成工艺简单，工作电源电压范围宽，低功耗等特点，目前越来越多的应用于集成电路中。 * N沟道结型场效应管和N沟道增强型MOS管 * 阻抗匹配：指出共基极、集电极、发射极放大电路的输出电阻比较大，最小的共集电极放大电路的输出电阻也有几十欧姆，若RL是一个扬声器，其标准阻抗是4欧姆，那么扬声器要想获得最大功率，输出电阻也应该是4欧姆，就目前的放大电路无法满足这一条件，可通过变压器来实现阻抗转换。 * N沟道增强型MOS管 2.工作原理 P 衬底B N+ S G D N+ 3) uGS 继续增加，uDS=0： 使导电沟道刚刚形成的栅-源电压称为开启电压 uGS(th) 。 一方面：耗尽层增宽； 另外：将衬底的自由电子吸引到耗尽层与绝缘层之间，形成N型薄层，称为反型层。 这个反型层就构成了漏源之间的导电沟道。 uGS越大，反型层越厚，导电沟道电阻越小。 反型层 5.5 场效应管放大电路 N沟道增强型MOS管 2.工作原理 4) uGS uGS(th) ，uDS 0： P 衬底B N+ S G D N+ 将产生一定的漏极电流 iD 。 iD 随着的uDS增加而线性增大。 此时导电沟道的宽度不再处处相等。 5.5 场效应管放大电路 N沟道增强型MOS管 2.工作原理 P 衬底B N+ S G D N+ 5) uGS uGS(th) , uGD = uGS(th) ： 5.5 场效应管放大电路 随着 uDS 的增大，uGD 减小，当uDS增大到 uGD =uGS(th)时，导电沟道在漏极一端产生夹断，称为预夹断。 此时继续增加 uDS，夹断区会继续左移。 但仍然有 iD 。 此时沟道两端电压保持不变，因此漏电流 iD 几乎不变化，管子进入恒流区。 N沟道增强型MOS管 2.工作原理 P 衬底B N+ S G D N+ 5) uGS uGS(th) , uGD = uGS(th) ： iD 几乎仅仅决定于uGS 。 此时可以把 iD 近似看成 uGS 控制的电流源。 5.5 场效应管放大电路 制造时,在sio2绝缘层中掺入大量的正离子,即使uGS =0，在正离子的作用下，源-漏之间也存在导电沟道。只要加正向uDS ，就会产生iD。 结构示意图 P 源极S 漏极D 栅极G B N+ N+ 正离子 反型层 SiO2 只有当uGS小于某一值时，才会使导电沟道消失，此时的 uGS 称为夹断电压 uGS(off) 。 N沟道耗尽型MOS管 5.5 场效应管放大电路 d N沟道符号 B s g P沟道符号 d B s g d B s g N沟道符号 d B s g P沟道符号 耗尽型MOS管符号 增强型MOS管符号 N沟道耗尽型MOS管 5.5 场效应管放大电路 FET g d s + UGS – iD iG iS iD= f (uGS ，uDS) iG= 0 简化的微变等效电路 + ugs – + uds – gm ugs 5.5 场效应管放大电路 FET的微变等效电路 + ugs – gm ugs rds + uds – 场效应管微变等效模型 1. 电压控制元件 VS 电流控制元件 2. 放大倍数 3. 载流子参与导电方面 4. 场效应管漏、源极 VS 晶体管集电、发射极 5. 类型对比 6. 功耗 7. 热稳定性抗辐射能力 场效应管与晶体管之对比 5.5 场效应管放大电路 5.5 场效应管放大电路 ui uO 自偏压式偏置电路 分压式偏置电路 + _ + + + _ + +UDD CS RG RS RL RD + _ + + + _ + +UDD CS RG1 RS RL RD RG2 ui uO 场效应管放大电路的三种接法 5.5 场效应管放大电路 ui uO _ + + + _ + +UDD RG RS RL _ + + + _ + +UDD RG1 RS RL RG2 ui uO 场效应管放大电路的三种接法