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菱形缓冲器电路探秘 菱形 缓冲器(DiamondBuffer)是由4个互补 \o 晶体管 晶体管组成的 \o 电流 电流驱动 \o 电流流过的路叫做电路 电路，由于电路中的晶体管呈菱形交叉排列，故称之为菱形缓冲器。菱形缓冲器属于互补晶体管发射极跟随器，因此自身没有 \o 电压 电压放大能力，但具有相当强的输出电流驱动能力，可以用来驱动高 电容性或低 电阻 \o 把电能转换成其他形式的能的装置叫做负载 负载，经常出现在各种音频前级放大器的输出驱动级位置，也可以作为耳机驱动放大器或信号输入级缓冲电路来使用。由于菱形缓冲器电路结构简单而且 \o 相位是反映交流电任何时刻的状态的物理量 相位、 \o 频率 频率特性优异，既可以独立组成电流缓冲器，又可以与运算放大器组合扩展输出电流能力，因此菱形缓冲器在各种音频处理电路中得到广泛使用。 ? 　　本文利用OrCadPSP \o IC（integrated circuit）集成电路 ICE电路仿真软件，针对3种有代表性的菱形缓冲器电路以及一种采用结型场效应管(JFET)驱动双极性晶体管(BJT)的缓冲器电路进行一系列的实验，详细探讨、比较各种菱形缓冲器电路各方面的性能。本文作为一篇实验文章，力将实验的过程详实地加以记录，读者通过对比图与图之间的些微差异，可以了解菱形缓冲器电路，并从电路的微妙变化中，对菱形缓冲器电路有深入的认识。 　　菱形缓冲器的演化 　　最基本的缓冲器(Buffer)电路是图1所示的晶体管发射极跟随器。 这样的发射极跟随器电路输入与输出之间的直流电位相差了一个晶体管发射极PN结正向压降，因此将NPN型晶体管与 \o PNP管的E、B、C三极分别是P型、N型、P型半导体，NPN管正好相反 PNP型晶体管接成单端互补推挽输出型式时，像图2的电路那样，加上VD1、VD2两个 \o 二极管 二极管作为输出晶体管的偏压，用来抵消晶体管发射极PN结正向压降，这样就可以让输入与输出之间的直流电位相同。图2的电路是以VD1、VD2两个二极管作为输出晶体管的偏压，如果用晶体管发射极PN结取代二极管作为输出晶体管的偏压，形成了图3的电路。由于二极管没有电流放大作用，而晶体管则具有电流放大作用，因此图3的电路比图2的电路 \o 输入阻抗 输入阻抗更高，成为更理想的缓冲器电路。在图3电路中，由于不同晶体管之间发射圾PN结的正向压降会有相当大的误差；而且容易受温度影响，各个晶体管的工作电流难以把握，所以除了 \o 集成电路 集成电路IC内部的电路之外，实际上用分立元件组成的菱形缓冲器电路是像图4这个样子，在4个晶体管的发射极加上发射极 \o 电阻 电阻，用来稳定各个晶体管的工作电流，这是最基本的菱形缓冲器电路。电路的工作电流设定为驱动两个晶体管工作的电流约4mA，输出级两个晶体管工作电流约l5mA。将图4基本菱形缓冲器电路中的VT2、VT5改成西克对管(SziklaiPair)就成为图5的电路。西克对管电路又称为互补达林顿电路。双极性晶体管的集电极电流与基极电流的比值称为p值，代表双极性晶体管的电流增益特性。将两个晶体管接成达林顿电路或西克对管电路，可以相当于一个p值超高的晶体管。达林顿电路或西克对管电路的p值约为两个晶体管β值的乘积，如果两个晶体管的β值相等，则达林顿电路或西克对管电路的总β值为两个晶体管各自β值的平方。达林顿电路或西克对管电路的缺点是晶体管的漏电电流也放大β倍，晶体管集电极与发射极间的 \o 阻抗 阻抗减小到原来的1/β。 　　达林顿电路与西克对管电路比较：达林顿电路将两个双极性晶体管的发射结串联，使得发射结的正向压降加倍；西克对管电路的发射结的正向压降则没有加倍。达林顿电路的前一个晶体管是以晶体管三种基本放大电路中的共集电极方式驱动后一个晶体管，所以达林顿电路本身两个晶体管都是发射极跟随器的形式。西克对管电路的前一个晶体管则是以共发射极方式驱动后一个晶体管，而后一个晶体管又以共发射极方式输出至前一个晶体管的发射极，形成环路负反馈，西克对管电路本身两个晶体管都是共发射极方式。一般认为在晶体管三种基本放大电路方式中，共发射极方式的输出延迟最严重，因此西克对管电路的缺点为输出延迟较严重，高频工作较不稳定，容易发生自激振荡。将圆4基本菱形缓冲器电路中的R1、R9改成高阻抗的恒流源则成为图6的电路，这是最典型的菱形缓冲器电路。图7所示电路为使用结型场效应管驱动双极性晶体管的缓冲器，利用结型场效应管的G极与S极的PN结要反偏，双极性晶体管基极与发射极的PN结则要正偏，组合起来就成为一个既简单又性能优异的缓冲器电路。设计这种电路时必须注意选用的结型场效应管的Vgs(off)要大于输出晶体管发射极结的压降加上发射极 \o 电