薄膜材料与薄膜技术.pptVIP

* * * * * 等离子体中的离子、电子、活性基团等带电粒子或中性粒子，与固体表面相互作用，而发生各种物理和化学反应。 （2）等离子体与固体表面的相互作用 离子 原子 plasma 溅射 中性 粒子 二次电子 鞘层 固体表面 等离子体区 ① 吸附和捕获 等离子体中的中性粒子（原子、分子及基团）不受鞘层电场的作用，直接向表面迁移。当中性粒子吸附在固体表面时，将使表面的自由能降低。 吸附率：单位时间被吸附的粒子数与撞击的粒子数之比。 每秒钟气体分子与单位面积固体表面发生碰撞的数Z为： 并不是所有撞击到固体表面上的中性粒子都可以被表面吸附，这与撞击粒子的种类、能量及表面性质有关。 如果入射离子能够进入固体表面层，与固体中的原子发生一系列的弹性和非弹性碰撞，并不断地损失其能量。当入射离子的能量损失到某一定的值（ 约为20eV左右 ) 时，将停止在固体中不再运动。 ② 离子注入 Ion E atoms 如果固体中的原子在同入射离子碰撞时获得能量大于某一阈值时，将做反冲运动。该反冲原子将进一步与其它静止原子发生碰撞，形成新的反冲原子。这样依次下去，形成一系列原子的运动，被称为原子的级联运动。 ③ 原子的级联运动 表面产生缺陷、位错 ④ 溅射 被加速的粒子轰击到固体表面时，由于动量的交换，使原子发生级联运动，当级联运动的原子运动到固体表面时，如果其能量大于表面的势垒，它将克服表面的束缚而飞出表面，构成固体原子的释放，而被溅射出来。溅射出来的粒子除了是原子外，也可以是原子团。溅射出来的原子进入鞘层后，与鞘层内的离子碰撞后将发生电离，形成新的离子。 冷等离子体应用 等离子体的化学过程 刻蚀 化学气相沉积（成膜） 等离子体材料处理 表面改性 灭菌消毒(活性基团与微生物反应、高能粒子打断微生物分子化学键、紫外线） 表面冶金（渗金属、合金强化、N) 光源 冷光源（节能，线光谱） 气体激光器 等离子体显示器 电子能量（eV） 远大于分子键能 （0.1eV） 非热平衡等离子体，背景温度低，电子温度高，存在大量的活性粒子 （3）低温等离子体在成膜上的应用 离子镀 在低温等离子体的气氛中进行蒸发，蒸发的金属原子在等离子体中被电离。 溅射沉积 在氩等惰性气氛或低温等离子体进行溅射沉积 化学气相沉积 多种气体在高温下发生化学反应而生成固体。 等离子体化学气相沉积 通过等离子体之间的化学反应而沉积在固体表面 表面改性 通过高频放电使金属氮化或氧化 包括在物理气相沉积和化学气相沉积上的应用。 负偏压 靶 基片 plasma 物理气相沉积技术 （溅射技术） 反应性气体 基片 CH4 化学气相沉积技术 MWCVD可以稳定地制备高质量毫米量级厚度的金刚石片，并用金刚石膜加工成金刚石电子热沉片，热导率高达7.6W/(k·cm)，可用于大功率电子器件。 金刚石质量表征 热等离子体应用 高温加热 冶金、焊接、切割 材料合成、加工 陶瓷烧结、喷涂、三废处理 （热等离子体作为热源加热熔化作用） 光源 强光源（近黑体连续辐射） 热平衡等离子体，电子、离子、原子同样的温度，热量大 通常是高气压（1个大气压左右或更高的气压） 电弧、等离子体炬 （4）等离子体的刻蚀应用： (2)微电机系统 (MEMS) 的制备 (1)超大规模集成电路的制备 军事应用 等离子体天线、等离子体隐身、等离子体减阻、等离子体鞘套、等离子体诱饵 高技术 大功率微波器件、X射线激光、强流束技术、等离子体推进 （5）等离子体军事及高技术应用： 等离子体隐身 通过设计等离子的特征参数（能量、电离度、振荡频率和碰撞频率等）满足特定要求，使照射到等离子云上的雷达波一部分被吸收，一部分改变传播方向，因而返回到雷达接收机的能量很少，使敌方难以探测，达到隐身的目的；还能通过改变反射信号的频率，使敌雷达测出错误的飞机位置和速度数据以实现隐身。据报道，采用该技术的飞行器被敌方发现的概率可降低99％。 等离子体隐身技术的原理是利用电磁波与等离子体互相作用的特性来实现的，其中等离子体频率起着重要的作用。等离子体频率指等离子体电子的集体振荡频率，频率的大小代表等离子体对电中性破坏反应的快慢，它是等离子体的重要特征。若等离子体频率大于入射电磁波频率，则电磁波不会进入等离子体．此时，等离子体反射电磁波，外来电磁波仅进入均匀等离子体约2mm，其能量的86%就被反射掉了。但是当等离子体频率小于入射电磁波频率时，电磁波不会被等离于体截止，能够进入等离子体并在其中传播，在传播过程中．部分能量传给等离子体中的带电粒子，被带电粒子吸收，而自身能量逐渐衰减。 等离子体离子推进器 推进器的工作物质为电中性的等离子体并在电磁中中被加速 可变比冲磁等离子体火箭（VASIMR） 等离子体推进技术 VASIMR为满足