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霍耳传感器 本章主要学习霍耳传感器 的工作原理、霍耳集成电路的特性及其在检测技术中的应用，还涉及磁场测量技术。 第一节 霍耳传感器的工作原理 导体或半导体薄片置于磁感应强度为B 的磁场中，磁场方向垂直于薄片，当有电流I 流过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势EH，这种现象称为霍耳效应。 磁感应强度B 较大时的情况 作用在导体或半导体薄片上的磁场强度B越强，霍耳电势也就越高。霍耳电势EH可用下式表示： EH=KH IB 霍耳效应演示 当磁场垂直于薄片时，电子受到洛仑兹力的作用，向内侧偏移，在半导体薄片c、d方向的端面之间建立起霍耳电势。 磁场不垂直于霍耳元件时的霍耳电动势 若磁感应强度B不垂直于霍耳元件，而是与其法线成某一角度? 时，实际上作用于霍耳元件上的有效磁感应强度是其法线方向（与薄片垂直的方向）的分量，即Bcos?，这时的霍耳电势为 EH=KHIBcos? 1）材料：用于制造霍尔元件的材料一般采用N型锗（Ge）、锑化铟（InSb）、砷化铟（InAs）等半导体材料制成。N型的锗、砷化铟:用于高精度测量；剃化铟：用于开关量。 2）结构：霍尔元件的结构简单，它由霍尔片、引线和壳体组成，霍尔片一般用非磁性金属、陶瓷或环氧树脂封装。除了矩形结构外，还有方形结构和对称十字形结构。这两种结构的电流电极和霍尔电极可以互换使用，因为是对称结构。 3）霍尔元件的特性参数 二、霍耳元件? 霍耳元件的主要外特性参数（续） 1） 额定激励电流和最大允许激励电流 当霍尔元件自身温升10℃时所流过的激励电流称为额定激励电流。 以元件允许最大温升为限制所对应的激励电流称为最大允许激励电流。  2） 输入电阻和输出电阻 激励电极间的电阻值称为输入电阻。霍尔电极输出电势对外电路来说相当于一个电压源, 其电源内阻即为输出电阻。 霍尔元件测量误差及补偿 零位误差及补偿 温度特性及补偿 零位误差及补偿 温度特性及补偿 第二节 集成霍耳传感器 集成霍耳传感器是利用硅集成电路工艺将霍耳元件和测量线路集成在一起的一种传感器。它取消了传感器和测量电路之间的界限，实现了材料、元件、电路三位一体。 集成霍耳传感器输出是经过处理的霍耳输出信号。按照输出信号的形式，集成霍耳传感器可分为线性型和开关型两大类。 开关型霍耳集成电路 开关型霍耳集成电路是将霍耳元件、稳压电路、放大器、施密特触发器、OC门（集电极开路输出门）等电路做在同一个芯片上。当外加磁场强度超过规定的工作点时，OC门由高阻态变为导通状态，输出变为低电平；当外加磁场强度低于释放点时，OC门重新变为高阻态，输出高电平。较典型的开关型霍耳器件如UGN3020等。 开关型霍耳集成电路的外形及内部电路 开关型霍耳集成电路（OC门输出）的接线 请按以下电路，将下一页中的有关元件连接起来. 开关型霍耳集成电路的史密特输出特性 回差越大，抗振动干扰能力就越强。 线性型集成霍耳传感器 线性型霍耳特性 右图示出了具有双端差动输出特性的线性霍耳器件的输出特性曲线。当磁场为零时，它的输出电压等于零；当感受的磁场为正向（磁钢的S极对准霍耳器件的正面）时， 输出为正；磁场反向时，输出为负。 第三节 霍耳传感器的应用 位移传感器 压力传感器 转速传感器 位移测量 由式可知，霍耳电势与位移量 x成线性关系，即x =0时，UH=0，这是由于在此位置元件同时受到方向相反、大小相等的磁通作用的结果。并且霍耳电势的极性反映了元件位移的方向。实践证明，磁场变化率越大，灵敏度越高；磁场变化率越小，则线性度越好。基于霍耳效应制成的位移传感器一般可用来测量 l～2mm的小位移，其特点是惯性小、响应速度快。 压力测量 转速测量 霍耳转速表原理 当齿对准霍耳元件时，磁力线集中穿过霍耳元件，可产生较大的霍耳电动势，放大、整形后输出高电平；反之，当齿轮的空挡对准霍耳元件时，输出为低电平。 霍耳转速传感器在汽车防抱死装置（ABS）中的应用 若汽车在刹车时车轮被抱死，将产生危险。用霍耳转速传感器来检测车轮的转动状态有助于控制刹车力的大小。 霍耳式接近开关 当磁铁的有效磁极接近、并达到动作距离时，霍耳式接近开关动作。霍耳接近开关一般还配一块钕铁硼磁铁。 霍耳式接近开关用于转速测量演示 开关型霍耳IC 霍耳转速表的其他安装方法 只要黑色金属旋转体的表面存在缺口或突起，就