半导体物理第二章.pptVIP

杂质来源 (1)有意掺入 （2）无意掺入 掺杂目的： 控制半导体的导电性质（电阻率和导电类型） 本章内容 2. Ⅱ－Ⅵ 族化合物半导体中的杂质 本节要点 深能级杂质的特点 深能级杂质在半导体中起的作用 ★特别注意Au在硅中既有施主能级又有受主能级，它是有效的复合中心 深能级瞬态谱仪（DLTS）测量杂质的深能级 深能级杂质的基本特点： ?一般以替位式杂质形式存在 ?不容易电离，对载流子浓度和导电类型影响不大。 ?能够产生多次电离，每次电离均对应一个能级（一般会产生多重能级），甚至既产生施主能级也产生受主能级。 深能级杂质的作用： ?深能级一般作为复合中心，使载流子寿命降低。 ?深能级杂质电离后成为带电中心，对载流子有散射作用，使载流子迁移率减少，导电性能下降。 例1： Au（I族）在Ge中 Au在Ge中共有五种可能的荷电状态： Au0 、 Au+ 、Au-、Au=、Au≡ (1) Au0 电中性态 掺受主的半导体的价带空穴数由受主决定，半导体导电的载流子主要是空穴（空穴数电子数），对应的半导体称为P型半导体。 空穴为多子，电子为少子。 受主能级EA 3. 浅能级杂质电离能的简单计算 2个修正： 用电子有效质量mn*取代m0 用半导体介电常数ε 取代ε0 因为在周期性势场中运动 因为在介质中 对于Si、Ge掺P Ec Ev 施主能级靠近导带底部 ED (1)施主电离能 施主杂质的电离能小， 在常温下基本上电离。 实验测试值 Ec Ev EA 受主能级靠近价带顶部 (2)受主电离能 受主能级EA 受主杂质的电离能小，在常温下基本上为价带电离的电子所占据（空穴由受主能级向价带激发）。 Si、Ge中 Ⅲ 族杂质的电离能△EA（eV） 晶体 杂 质 B Al Ga In Si 0.045 0.057 0.065 0.16 Ge 0.01 0.01 0.011 0.011 有效施主浓度： 4. 杂质的补偿作用 (1) ND＞NA 半导体中同时存在施主和受主杂质，施主和受主之间有互相抵消的作用 此时为n型半导体 n=ND-NA Ec ED 电离施主 电离受主 Ev EA 因EA在ED之下， ED 上的束缚电子首先填充EA 上的空位，即施主与受主先相互“抵消”，剩余的束缚电子再电离到导带上。 (2) NDNA Ec ED EA Ev 电离施主 电离受主 此时为p型半导体 p=NA- ND 因EA在ED之下， ED 上的束缚电子首先填充EA 上的空位，即施主与受主先相互“抵消”，剩余的束缚空穴再电离到价带上。 有效受主浓度： (3) ND≈NA 杂质的高度补偿 不能向导带和价带提供电子和空穴 Ec Ev ED EA 本征激发的价带空穴 本征激发的导带电子 这种材料容易被误认为高纯度半导体，实际上含杂质很多，性能很差，一般不能用来制造半导体器件。 杂质补偿的作用： “杂质补偿”是制造各种半导体器件的基础。 半导体器件制造过程中，通过采用杂质补偿的方法来改变半导体某个区域的导电类型或电阻率。 ⅢA族元素B、Al、Ga、In、Te ⅤA族元素N、P、As、Sb、Bi 组成的二元化合物称为Ⅲ-Ⅴ族化合物 化学比为1：1 Al P Ga ~ As In Sb 组成的九种Ⅲ-Ⅴ族化合物晶体均为闪锌矿结构 三、 化合物半导体中的杂质 1. Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体中的杂质 杂质在Ⅲ-Ⅴ族化合物中的存在形式： 1）间隙式 2）替位式 但由于可以分别取代Ⅲ或Ⅴ族元素原子，问题较为复杂。 ●施主杂质 Ⅵ族元素(Se、S、Te) 在 GaAs 中通常都替代Ⅴ族元素As原子的晶格位置。 Ⅵ族杂质在GaAs中一般起施主作用，为浅施主杂质。 Ec－0.006）eV （S） （Ec－0.006）eV （Se） （Ec－0.03）eV （Te） O在GaAS中有深施主能级。在P型GaAs中掺入O，因杂质的补偿作用，可制得室温下电阻率大于107Ωcm的半绝缘GaAs晶体。 ●受主杂质 Ⅱ族元素（Zn、Be、Mg、Cd、Hg）在GaAs中通常都取代Ⅲ族元素Ga 原子的晶格位置。 Ⅱ族元素杂质在 GaAs 中通常起受主作用，均为浅受主杂质。 (Ev+0.03)eV (Be) (Ev+0.03)eV (Mg) (Ev+0.024)eV (Zn) (Ev+0.021)eV (Cd)等 一般掺Zn或Cd获得P型Ⅲ-Ⅴ族材料 ● 两性杂质 Ⅳ族元素杂质（Si、Ge、Sn、Pb）在GaAs中的作用比较复杂，可以取代Ⅲ族的