第二章半导体中的杂质和缺陷讲解.pptVIP

第二章 半导体中杂质和缺陷能级;第二章 半导体中杂质和缺陷能级;杂质能级位于禁带之中;杂质和缺陷;§2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 ;§2.1.1 替位式杂质 间隙式杂质;§2.1.1 替位式杂质 间隙式杂质;§2.1.1 替位式杂质 间隙式杂质;§2.1.2 施主杂质 施主能级;§2.1.2 施主杂质 施主能级; 在Si单晶中，V族施主替位杂质两种荷电状态的价键图;§2.1.2 施主杂质 施主能级;施主电离能：△ED=EC-ED ;§2.1.2 施主杂质 施主能级; Si、Ge中Ⅴ族杂质的电离能△ED（eV） 晶 杂 质 体 P As Sb Si 0.044 0.049 0.039 Ge 0.0126 0.0127 0.0096;§2.1.3 受主杂质 受主能级;§2.1.3 受主杂质 受主能级;;§2.1.3 受主杂质 受主能级;受主电离能： △EA=EA-EV;§2.1.3 受主杂质 受主能级;Si、Ge中Ⅲ族杂质的电离能△EA（eV） 晶 杂 质 体 B Al Ga In Si 0.045 0.057 0.065 0.16 Ge 0.01 0.01 0.011 0.011;§2.1.4 浅能级杂质电离能的简单计算;氢原子基态电子的电离能 ;§2.1.4 浅能级杂质电离能的简单计算;§2.1.5 杂质的补偿作用;1，NDNA时： n型半导体 因 EA 在 ED 之下， ED上的束缚电子首先填充EA上的空位，即施主与受主先相互“抵消”，剩余的束缚电子再电离到导带上。 有效的施主浓度 ND*=ND-NA;2， NAND时： p型半导体 因 EA 在 ED 之下， ED上的束缚电子首先填充EA上的空位，即施主与受主先相互“抵消”，剩余的束缚空穴再电离到价带上。 有效的受主浓度 NA*=NA-ND;3，NA≌ND时：杂质的高度补偿;§2.1.6 深能级杂质;（1）浅能级杂质;例如：在Ge中掺Au Au的电子组态为：5s25p65d106s1;1，Au失去一个电子－－－施主 Au0 – e＝ Au+;2，Au获得一个电子－－－受主 Au0 ＋e＝ Au-;3，Au获得第二个电子 Au- ＋e＝ Au--;4，Au获得第三个电子 Au-- ＋e＝ Au---;§2.1.6 深能级杂质;§2.2 化合物半导体中的杂质能级;§2.2.1 杂质在砷化镓中的存在形式 ;§2.2.1 杂质在砷化镓中的存在形式 ;§2.2.1 杂质在砷化镓中的存在形式 ;§2.2.1 杂质在砷化镓中的存在形式 ;§2.2.1 杂质在砷化镓中的存在形式;§2.3 半导体中的缺陷、位错能级 ;§2.3.1点缺陷;§2.3.1点缺陷;§2.3.1点缺陷;§2.3.1点缺陷;§2.3.2 位错;§2.3.2 位错;§2.3.2 位错;§2.3.2 位错