半导体器件物理-理想PN结与实际情况偏离.pdfVIP

西安电子科技大学 Physics of 微电子学院 Semiconductor Devices 双极型器件物理(双语) 游海龙 XD Physics of Semiconductor device 第一章：PN结二极管 1－1 平衡PN结定性分析 1－2 平衡PN结定量分析 1－3 理想PN结直流伏安特性 1－4 实际（Si ）PN结直流I-V特性与理想模型的偏离 1－5 PN结交流小信号特性 1－6 PN结瞬态特性 1－7 PN结击穿 1－8 二极管模型和模型参数 微电子学院 理想PN结直流伏安特性的定量分析.2 XD Physics of Semiconductor