微电子工程学8.ppt

微电子工程学 第8章 微电子工程前沿课题 ----能带工程与深亚微米技术 第8章 微电子工程前沿课题 8.1 金属有机物化学汽相淀积（MOCVD）技术概况 8.1.1 MOCVD技术的一般特点 8.1.2 MOCVD生长过程及参数控制 8.1.3 对于源的讨论 8.2 分子束外延（MBE）技术简介 8.3 超晶格与量子阱材料 8.3.1 半导体超晶格研究的主要内容 8.3.2 半导体超晶格的分类 8.4 超晶格材料制作的器件 8.4.1 光学器件 8.4.2 高速电子器件及其它器件 8.5 深亚微米技术的发展与光计算机 8.5.1 深亚微米技术的发展 8.5.2 光学器件与光计算机 第8章 微电子工程前沿课题 8.1 金属有机物化学汽相淀积（MOCVD）技术概况 金属有机化合物的制备起源于1939年。 1957年美国化学学会（ACS）召开了一次有机金属化合物的学术会议. 用金属有机化合物制备半导体材料始于60年代末。 1968年H.M.Manasevit第一次成功地在Al2O3上生长了GaAs以后，陆续有人研究用这种方法制备半导体膜并用来制造器件。 1975至1980年间，人们对同质外延进行了广泛研究，并用来制造发光器件及其它有希望的器件。在此基础上，分别于1981年、1984年召开了两次国际会议讨论电子材料制备中的金属有机化合物汽相淀积技术，涉及了迄今为止所发现的III