晶体管原理54陈星弼张庆中.pptVIP

晶体管原理5-4_陈星弼+张庆中 定义： 使硅表面处于本征状态的 VGS 称为 本征电压 ，记为 Vi 。当 VGS = Vi 时，表面势 ?S = ?FB ，能带弯曲量为 q?FB ，表面处于 本征状态。 当 Vi VGS VT 时，?FB ?S 2?FB ，表面处于 弱反型状态，反型层中的少子（电子）浓度介于本征浓度与衬底平衡多子浓度之间。 在亚阈区，表面弱反型层中的电子浓度较小，所以漂移电流很小；但电子浓度的梯度却很大，所以扩散电流较大。因此在计算 IDsub 时只计入扩散电流而忽略漂移电流。 式中， 5.4.1 MOSFET 的亚阈漏极电流 设沟道上下的纵向电势差为 ( kT/q ) ，则沟道厚度 b 可表为 根据高斯定理， 定义沟道耗尽区的势垒电容为 于是可得沟道厚度为 将 n(0)、n(L) 和 b 代入 IDsub 中，得： 表面势 ?S 与栅源电压 VGS 之间的关系可表为 式中， 由于 ?FB ?S 2?FB ，CD(?S ) 中的 ?S 可取为 1.5?FB 。 于是得到亚阈电流的表达式为 1、IDsub 与 VGS 的关系