半导体载流子浓度.pptVIP

* 半导体载流子的统计分布 半导体载流子包括导带电子和价带空穴。热力学平衡下，导带电子满足费米分布： 价带空穴就是电子的欠缺，因此能量为E的状态不被电子占据的几率就是空穴的占据几率： 空穴和电子的费米分布函数相对与费米能级成镜像。高电子能量对应低空穴能量。 能量越高，电子占据几率越小。反之，占据几率大。 能量越高，空穴占据几率越大。反之，占据几率小。 * 与金属不同，半导体费米能级通常在禁带之中，因此对于本征半导体或低掺杂半导体，载流子的能量通常满足： 量子的费米分布退化为经典的玻耳兹曼分布。 原因：导带电子和价带空穴的占据几率远小于1，泡利不相容原理限制消弱。 * 载流子浓度求解思路 费米分布函数（退化为玻耳兹曼分布）。已解决！！ 单位体积态密度函数g(E)？ k E Eg EC 单位体积dE能量区间量子态数 单位体积dE区间电子数 导带电子浓度 * 导带底和价带顶能态密度 半导体中载流子主要集中在导带底和价带顶附近，采用自由电子近似，能谱： 导带底： 价带顶： mn*为导带底电子有效质量；mp*为价带顶空穴有效质量。 导带底能态密度： 单位体积导带底能态密度： 单位体积价带顶能态密度： * 导带电子浓度 导带电子占据几率随能量E的增大按玻耳兹曼规律迅速减少，主要集中在导带底附近，故其浓度可表示为： 令： Gc称为导带底的有效能态密度。 导带电子浓度： 在热平衡情况下，系统费米能级愈高，温度愈高，则导带中的电子浓度就愈高。 *Gc意义：如果所有导带电子集中在导带底Ec，则其状态密度应为Gc。例Si，300K下，Gc=2.86?1019cm-3。 * 价带空穴浓度 定义价带顶有效状态密度Gv： 则价带空穴浓度： 系统费米能级愈低，温度愈高，则价带中的空穴浓度就愈高。 *Gv意义：如果将所有空穴集中在价带顶，其状态密度应为Gv。例Si，300K下，Gv=2.66?1019cm-3。 * 讨论I 以上电子和空穴浓度表达式对本征和非本征半导体均适用。 影响电子和空穴浓度的因素：材料类型；温度；费米能级。 温度越高，空穴和电子浓度越大。------热激发。 费米能级越高，电子浓度越大，空穴浓度越小。反之亦然。 费米能级待确定------依赖掺杂杂质浓度和类型。 * 讨论II 热平衡态下，载流子浓度乘积只依赖温度而与费米能无关。 ------质量作用定律。 换句话说，一定温度下，电子和空穴的浓度乘积只与材料类型有关，而与是否掺杂无关。带隙越小，乘积越大。 本征或非本征半导体，质量作用定律同样适用。 本征半导体，n=p；N型半导体，施主掺杂使n增大，p减小，np。P型半导体，受主掺杂使p增大，n减小，pn。 * 本征半导体费米能级 本征激发：价带电子直接激发到导带产生载流子 (电子和空穴）。 本征激发过程中的电中性条件： 本征半导体费米能级（称为本征费米能级，Ei）： 导 带 价 带 Eg Ei 本征费米能级Ei非常靠近禁带中央。随温度改变。 本征费米能级Ei为材料基本参数。 * 本征半导体载流子浓度 本征半导体载流子浓度：简称本征载流子浓度ni。 材料禁带宽度越小，本征载流子浓度越大。温度升高，ni越大。 本征载流子浓度ni同样为材料基本常数（当然需指明温度）。如室温下，Si：ni=9.65?109cm-3； GaAs：ni=2.25?106cm-3。 * 杂质激发：施主能级电子激发至导带或受主能级空穴激发至价带。 N型半导体载流子浓度 设N型半导体，施主能级位置为ED，施主浓度为ND，受主浓度NA=0。在足够低的温度下，载流子将主要是由施主激发到导带的电子。用n代表导带电子浓度，则电中性条件为： nD为施主能级上电子浓度，同样满足费米分布： * 上两式消去eEF/kBT，可得： 其中EI = Ec?ED代表导带底与施主能级之间的能量差，即施主的电离能。上式可求出导带电子浓度： 低温弱电离区 温度很低的情况下， 电子浓度随温度升高指数增加---施主随温度升高逐渐电离。 * 高温完全电离区 由于Gc与T3/2成正比，当温度足够高，则有： 导带电子数将接近于施主数，即施主几乎完全电离。 根据电中性条件：n=ND-nD。一般施主杂质电离能较低，温度足够高时，施主完全电离，nD=0，显然有n=ND。(这里忽略本征激发影响，过高温度时影响显著。） * N型半导体费米能级 完全电离情况： 导带电子浓度一般表达式： EF Ec Ev n型半导体 费米能级接近导带底。 温度升高，费米能级向Ei靠近。 Ei * P型半导体载流子浓度和费米能级 低温弱电离区： 高温完全电离区： EF Ei Ec Ev p型半导体 费米能级接近价带底。 P型半导体，受主浓度为NA。 * 小结 EF Ec Ev n型半导体 EF Ec Ev p型半导体