微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积法制备多晶硅薄膜.PDFVIP

第32 卷 第4 期 核 聚 变 与 等 离 子 体 物 理 Vol.32, No.4 2 0 1 2 年 12 月 Nuclear Fusion and Plasma Physics Dec. 2012 文章编号：0254−6086(2012)04−0356−06 微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积法 制备多晶硅薄膜 左 潇，魏 钰，陈龙威，舒兴胜，孟月东 (中国科学院等离子体物理研究所，合肥 230031) 摘 要：利用微波电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积(ECR-PECVD)采用一步法直接在 K9 玻璃上低 温沉积制备了多晶硅薄膜。研究了不同实验参数对薄膜沉积的影响，采用X 射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子 显微镜(SEM)等实验分析方法对不同条件下制备的样品进行了晶体结构和表面形貌分析，并讨论了多晶硅薄膜沉积 的最佳条件。实验结果表明，玻璃衬底上多晶硅薄膜呈柱状生长，并有一定厚度的非晶孵化层；较高氢气比例和衬 底温度有利于结晶，薄膜的结晶率达到了62% ；晶粒团簇的最大尺寸约为500nm。 关键词：电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积；低温；直接制备；多晶硅薄膜 中图分类号：O539 文献标志码：A 1 引言 再结晶[3] 。再结晶之后的多晶硅薄膜一般具有较大 多晶硅薄膜太阳能电池因其低于晶体硅太阳 的晶粒尺寸和较少的缺陷态密度。金属诱导晶化法 电池的硅材料成本，和高于非晶硅薄膜太阳电池光 也是一种低温制备工艺[4] ，但是通过这种方法制备 电转换效率以及没有光致衰退效应的优点，近年来 的多晶硅薄膜通常会存在金属杂质。采用等离子体 已经得到了国内外科研工作者的大量研究。多晶硅 增强型化学气相沉积(PECVD)一步法在玻璃、陶 薄膜的制备工艺总体上可以分为高温制备工艺(衬 瓷、不锈钢等廉价衬底上制备多晶硅薄膜有工艺简 底温度高于 600 ℃)和低温制备工艺(衬底温度低于 单、易于工业化生产等潜在优势，但是由于衬底温 600℃)两条基本路线[1] 。高温条件下制备的多晶硅 度较低，制备出来的薄膜一般含有非晶成分且晶粒 薄膜具有晶粒尺寸大、结晶度高等、沉积速率快等 尺寸较小；通常使用氢气钝化等方法来降低薄膜中 优点。然而这种制备工艺要求衬底具有较高的耐热 的缺陷态密度，因而具有较大的应用前景[5] 。本文 性能，不能有较大的形变、热膨胀系数与硅材料相 主要研究了不同沉积参数对微波电子回旋共振等 [2] 离子体增强型化学气相沉积(ECR-PECVD)法低温 近、杂质浓度低，一般选用单晶硅片作为衬底 。 为了进一步降低太阳能电池的生产成本，实现在廉 制备多晶硅薄膜的影响，并利用薄膜生长理论主要 价衬底上制备太阳电池，多晶硅薄膜低温制备工艺 讨论了不同的气体比例和衬底温度与所制备的薄 已经工艺广受重视。目前低温沉积工艺一般采用两 膜的微观结构的关系；探讨了多晶硅薄膜的制备工 步法，即先在衬底上低温沉积非晶硅薄膜，然后通 艺，在玻璃衬底上低温沉积了多晶硅薄膜并使用X 过快速热退火、激光诱导结晶等固相晶化法使薄膜 射线衍射(XRD)、拉曼光谱和扫描电子显微镜(SEM) 收稿日期：2012−04−22 ；修订日期：2012−09−05 基金项目：国家自然科学基金资助项目(085JA16501) 作者简介：左潇(1987−)，男，湖南湘潭人，博士研究生，从事低温等离