SiO2层上沉积的纳米多晶硅薄膜及其特性.pdfVIP

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2019-09-15 发布于广东
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SiO2层上沉积的纳米多晶硅薄膜及其特性.pdf

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第9卷第3期纳米技术与精密工程 V01．9No．3 2011年5月 andPrecision Mav2011 NanoteclmologyEngineering Si02层上沉积的纳米多晶硅薄膜及其特性赵晓锋1’2，温殿忠1”，王天琦1’2，丁玉洁2 (1．黑龙江大学黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室，哈尔滨150080； 2．黑龙江大学集成电路重点实验室，哈尔滨150080) 摘要：采用低压化学气相沉积(LPCVD)系统以高纯Sill。为气源，在P型10．16锄100晶向单晶硅衬底Si02 nrs、63nm和98 层上制备纳米多晶硅薄膜，薄膜沉积温度为620℃，沉积薄膜厚度分剐为30 nnl．对不同薄膜厚度的纳米多晶硅薄膜分别在700℃、800℃和900℃下进行高温真空退火．通过x射线衍射(XRD)、Raman光谱、扫描电子显微镜(sEM)和原子力显微镜(AFM)对SiO：层上沉积的纳米多晶硅薄膜进行特性测试和表征，随着薄膜厚度的增加，沉积态薄膜结晶显著增强，择优取向为lll晶向．通过HP4145B型半导体参数分析仪对沉积态掺硼纳米多晶硅薄膜电阻，．y特性测试发现，随着薄膜厚度的增加，薄膜电阻率减小，载流子迁移率增大．关键词：纳米多晶硅薄膜；低压化学气相沉积(LPCVD)；迁移率中图分类号：TN307 文献标志码：A 文章编号：1672-6030(2011)03-0256-04 andCharacteristicsof Deposition Nano-Polysilicon ThinFilmson Layer Si02 ZHAO Xiao．fen91”，WENDian．zhon91”，WANG Yu-jie2 Tian．qil”，DING ofElectronics of of (1．KeyLaboratory EngineeringCollegeHeilongiiangProvince，HeilongjiangUniversity，Harbin150080，China； Laboratoriesof 2．Major IntegratedCircuits，HeilongjiangUniversity，Harbin150080，China) low as Abstract：With chemical and pressure vapor Sill4 gas deposition(LPCVD)methodhish—purity thin of sili— filmswerefabricatedon 10．16 source，