ZnO半导体电导型X射线探测器件研究.PDFVIP

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  • 2019-12-29 发布于天津
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物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 9 (2014) 098502 ZnO半导体电导型X射线探测器件研究∗ 赵小龙 康雪 陈亮 张忠兵 刘金良 欧阳晓平 彭文博 贺永宁 1)(西安交通大学, 电子与信息工程学院, 西安 710049) 2)(西北核技术研究所, 辐射探测科学研究中心, 西安 710024) ( 2013 年12 月15 日收到; 2014 年1 月17 日收到修改稿) 本文制备了基于ZnO 纳米线阵列和ZnO 薄膜的Ag-ZnO-Ag 电导型X 射线探测器件, 研究了它们对X 射 线的响应特性. 薄膜器件在100 V 偏置时的响应度达到0.12 C/Gy, 纳米线阵列器件在50 V 偏压下的

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