02集成电路工艺和版图设计(参考).pptVIP

* Jian Fang * 图形层的定义 N+ implant metal pwell active Poly 定义若干图层,每层对应一张掩膜版 pwell active poly N+ implant P+ implant omicontact metal * Jian Fang * Lib A Lib B Lib C Cell 1 Cell 2 Cell 3 Tech inst 1 inst 2 Inst 3 版图库的组织 一个库对应一个特定的工艺 针对该工艺的设计规则,和环境设定放在Tech文件中. 一个库可以包含若干不同层次的Cell. * Jian Fang * 版图数据交换文件 GDSII格式 CIF格式 EDIF格式 基本图形 基本操作 * Jian Fang * DRC Design Rule Check Checks geometrical shapes: width, length, spacing, overlap, etc.  1.单层规则 该规则包括各层的最小宽度a及同层间距b 层名称 宽度a 间距b 层名称 宽度a 间距b n+保护环 5 10 p+注入区 10 5 有源区 10 10 多晶硅布线 8 8 p+保护环 5 10 多晶硅栅 6 8 欧姆孔 8 14 布线铝条 10 10 p阱1 10 14 电源、地线铝条 25 10 n+注入区 10 5 p+墙 5 * Jian Fang * CMOS电路规则 2. 层间规则（包括各层间的间距、包围、迭搭的大小） * Jian Fang * 说明 标号 尺寸（um） 有源区包围欧姆孔 a 4 金属（铝）包围欧姆孔 b 3 多晶硅包围欧姆孔 c 4 n+、p+注入区包围有源区 d 5 n+、p+保护环~有源区 e 10 n+、p+保护环宽度 f 5 nmos、pmos多晶硅栅宽度 g 6 多晶硅栅伸出有源区 h 12 多晶硅栅与n+、p+保护环迭搭 i 2 多晶硅栅~铝布线 j 1 p阱包围p+保护环 k 2 ………….. * Jian Fang * DRC文件例子(片断) (drc metal (width 1.00) ) (drc metal (sep 0.80) ) (drc metal omicont (enc 0.30) ) (drc poly omicont (enc 0.40) ) * Jian Fang * EXTRACT 用图层间的相对关系判定器件及相互连接关系. 例如: Poly跨过Active,即同时出现Poly和Active表明有一个MOS器件. Extracts electrical circuit: transistors, connections, capacitance, resistance IN Out Vdd Gnd * Jian Fang * EXTRACT文件例子(片断) (extractDevice ngate (poly G) (nsd S D) (pwell1 B) nmos4 symbol analogLib ) (extractDevice pgate (poly G) (psd S D) (sub B) pmos4 symbol analogLib ) pgateWidth=measureParameter(length (pgate coincident poly) 0.5) pgateLength=measureParameter