《无机和有机聚合物太阳能电池简介》-(精选)课件.ppt

无机和有机聚合物太阳能电池简介 太阳能电池是利用太阳光和材料相互作用（光生伏特效应）直接产生电能,不需要消耗燃料和水等物质,使用中不释放包括二氧化碳在内的任何气体, 是对环境无污染的可再生能源 1954 美国贝尔实验室发明单晶硅太阳能电池，效率为6％，是最早的太阳能电池 太阳能电池原理——光生伏特效应 太阳光照射到pn结，产生电子—空穴对，在内建电场的的作用下，电子流入n区，空穴流入p区，在pn结附近形成与势垒方向相反的光生电场，使p区带正电，n区带负电，产生电动势 太阳能电池主要参数 开路电压：VOC 短路电流：ISC 太阳能输入功率： At 为 电池总面积，F（λ） 为在波长人处入射到电池上的每厘米2秒单位带宽的光子数，hc/λ为每个光子的能量 填充因子： 转换效率： 块状太阳能电池 单晶硅太阳能电池 工艺： 单晶硅棒—— 硅片 ——掺杂形成PN结——n结上丝网印刷银浆形成栅线——p结上铝浆烧结制成背电极——栅线表面涂覆增透膜——太阳能电池单体片——太阳电池组件——太阳能电池阵列 结构： 单晶硅能太阳电池是最早实现商业化的一种太阳能电池 商业光电转换效率为16%~20% 消耗大量的高纯硅材料, 而制造这些材料工艺复杂, 电耗很大, 在太阳能电池生产总成本中己超1 /2 多晶硅太阳能电池 工艺： 多晶块料或单晶硅头尾料——1: 5的氢氟酸和硝酸混合液进行适当的腐蚀——去离子水冲洗呈中性并烘干——装入石英坩埚加入硼硅——放入浇铸炉真空熔化——注入石墨铸模中凝固冷却——多晶硅锭 硅锭可铸成立方体, 以便切片，可提高材料利用率和方便组装 商业光电转换效率约12%左右 材料制造简便, 节约电耗, 总的生产成本较低, 因此得到大量发展 薄膜太阳能电池 背景：高纯多晶硅价格飙升，使得晶体硅电池价格上涨，为薄膜太阳能电池带来了行业机会 多晶硅薄膜光伏电池 制备方法： 化学气相沉积法, 液相外延法和溅射沉积法 化学气相沉积法 工艺流程： SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4或SiH4 ——保护气氛下——反应生成硅原子——沉积在加热的衬底上 衬底材料：一般选用Si、SiO2、Si3N4 等 薄膜太阳能电池中发展速度最快的 使用的硅远较单晶硅少 无效率衰退问题 可以在廉价衬底材料上制备 成本远低于单晶硅电池 效率高于非晶硅薄膜电池 非晶硅薄膜太阳能电池 工艺：硅烷等离子体分解法 硅烷——掺杂乙硼烷和磷化氢气体——基板（玻璃、不锈钢）低温成膜 薄膜材料能在较低的温度下直接沉积在廉价衬底上，有大幅度降低成本的潜力 适合用于建筑光伏一体化以及大型太阳能并网发电系统 光电转换效率偏低, 国际先进水平为10%左右, 且不够稳定, 常有转换效率衰降的现象 砷化镓薄膜太阳能电池 制备方法 晶体生长法、直接拉制法、气相生长法、液相外延法 特点 耐高温性能强 最高光电转换, 效率约38% 特别适合做高温信息记录材料、聚光太阳电池 碲化镉薄膜电池 薄膜电池中历史是最久的 结构：2μm层的p型CdTe层与厚0. 1μm的n型CdS形成 工艺：电流沉积法是最便宜的方法之一, 沉积操作需要的温度较低, 所耗用碲元素也最少, 也是工业界采用的主要方法 铜铟（镓）硒薄膜太阳能电池 铜铟（镓）硒薄膜太阳电池由于成本低、光电转换效率高，没有衰退被认为是最有发展前景的电池之一 结构 CIGS薄膜、缓冲层CdS薄膜、窗口层ZnO和ZnO:Al薄膜， Mo薄膜玻璃基板。其核心是作为吸收层的CIGS薄膜 工艺 Mo薄膜玻璃基板:玻璃的清洗和磁控溅射镀膜 CIGS薄膜：有两种技术路线，即共蒸发法和溅射后硒化法 共蒸发法 第一步 衬底温度为350 ℃左右蒸发In和Ga，形成In2Se3、Ga2Se3三族硒化物 第二步 衬底温度为560 ℃左右蒸发Cu，薄膜形成富Cu的CIGS薄膜 第三步 衬底温度仍为560℃左右，蒸发少量In和Ga，不但消除了表面的Cu2-xSe,而且表层形成了富Ga、In的硒化物和表面Ga的梯度分布 优点： 薄膜质量好 容易实现元素的梯度分布 电池转换效率高，世界纪录小面积电池效率19.5%和大面积120x60c扩组件效率超过13%都是由蒸发法制备的 缺点： 设备要求严格 蒸发过程不容易控制 大面积均匀性与连续化生产难度很大 溅射后硒化法 预制层溅射：直流磁控溅射，使用纯In靶、不同比例的CuGa合金靶顺序溅射 硒化： 硒化采用不同的硒源，又分为 硒化氢硒化法和固态硒源硒化 固态硒源硒化： 先对炉壁加温至220℃以上，硒化室真空抽到3x10-5Pa以下。在硒源升到230℃以上时