模拟版图中的典型器件__青软.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * Poly电容的两个电极分别是两层多晶硅，中间的介质是氧化层。 * * 在先进的cmos工艺中，金属互联层较多，对于混合工艺，可用最高的两层金属来做MIM cap,做MIM cap的金属之间的氧化层比较薄，因此需要额外的版，因为用高层金属实现，故底板寄生电容小，电容品质高。 * * 此为电容并联，看两侧的连线：金属一和金属三是一极为A，poly和金属二金属四是一极为B，c1一端是A一端是B，C2一端是A一端是B，依次类推，故直接的电容为并联。 * * * * * * * * 因为现在的晶圆一般都是P型衬底，那么版图就大都是nwell制程的，对于N阱cmos工艺，PNP比较常见。 * * * * * 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET ）简称场效应管。 * * 纵向NPN一般为VNPN（Vertical垂直的） * * * * 此处载流子是沿着晶体管断面的垂直方向运动。 * * * * * * * 由于时间限制我们在这里只对MOS类型的ESD保护结构及其版图设计方法做简单介绍。 为提升CMOS IC的ESD防护能力，在输入/输出PAD的ESD保护元件尺寸都会