组合逻辑电路第1讲.ppt

一.半导体二极管开关运用特性 1、二极管的静态特性和等效电路 开关等效电路 二、半导体三极管开关运用特性 1、三极管的三种工作状态 求出函数的最简“与-或”表达式； 将最简“与-或”表达式变换成“与非-与非”表达式； 画出与函数表达式对应的逻辑电路图。 求出函数的最简“或-与”表达式； 将最简“或-与”表达式变换成“或非-或非”表达式； 画出与函数表达式对应的逻辑电路图。 求出函数的最简“与-或”表达式； 将最简“与-或”表达式变换成“与-或-非”表达式； 画出与函数表达式对应的逻辑电路图。 求出函数的最简表达式； 将最简表达式变换成“异或”表达式； 画出与函数表达式对应的逻辑电路图。 作业： P89 3.1 3.2 3.3 * 第三章 组合逻辑电路 § 3.1逻辑器件概述 § 3.2 逻辑门电路 § 3.3 逻辑函数的实现 § 3.4 组合逻辑电路分析 § 3.5 组合逻辑电路设计 § 3.6 组合逻辑电路竞争与冒险 § 3.7 典型组合逻辑器件 门电路是用以实现逻辑关系的电子电路，与我们所讲过的基本逻辑关系相对应，门电路主要有：与门、或门、与非门、或非门、异或门等。 在数字电路中，一般用高电平代表1、低点平代表0，即所谓的正逻辑系统。 § 3.1 逻辑器件概述 1.静态特性 锗管 硅管 V(V) i(mA) 0.2 0.5 截止 导通 加正向电压时，二极管导通，管压降可忽略。二极管相当于一个闭合的开关。 加反向电压时，二极管截止，反向电流可忽略。二极管相当于一个断开的开关。 2.等效电路 V(V) i(mA) VT D RF A B Vr 折线等效 非线性变为线性 2.等效电路－－简化特性及等效电路 V(V) i(mA) VT D A B Vr 等效 条件： “开”态 “关”态 截止：IB＝ICBO≈0，IC＝ICEO≈0，VCE≈VCC， 饱和：ICβIB，VCE≈0， 放大： βIB＝IC，VCE=VCC- ICRC 1.截止状态： 当Vi小于三极管发射结死区电压时，IB＝ICBO≈0，IC＝ICEO≈0，VCE≈VCC，三极管工作在截止区，对应图中的A点。 三极管工作在截止状态的条件为：发射结反偏或小于死区电压 三极管工作在截止状态的开关等效电路 “关”态 2.放大状态： 当VI为正值且大于死区电压时，三极管导通。 三极管工作在放大状态的条件为：发射结正偏，集电结反偏 此时，若调节Rb↓→则IB↑→IC↑→VCE↓，工作点沿着负载线由A点→B点→C点→D点向上移动。在此期间，三极管工作在放大区。 三极管工作在放大状态的特点为： 3.饱和状态： 保持VI不变，继续减小Rb，当VCE ＝0.7V时，集电结变为零偏，称为临界饱和状态，对应图（b）中的E点。此时的集电极电流称为集电极饱和电流，用ICS表示，基极电流称为基极临界饱和电流，用IBS表示，有: 三极管工作在饱和状态的条件为：发射结正偏，集电结正偏 三极管工作在饱和状态的开关等效电路 “开”态 B C E R1 R2 A F +Vcc uA t uF t +Vcc 0.3V 三极管的开关特性： 1、电路组成 输入级主要由多发射极管 T1 和基极电阻 R1 组成，用以实现输入变量 A、B、C 的与运算。 一旦满足了放大的外部条件，它就具有放大作用，为迅速消散T2饱和时的超量存储电荷提供足够大的反向基极电流，从而大大提高了关闭速度。 三、TTL与非门 中间级起倒相放大作用，T2 集电极 C2 和发射极E2 同时输出两个逻辑电平相反的信号，分别驱动 T3和 T4。 输出级由 T3、T4、  Rc4和D组成。其中 T3 和 T4 构成复合管，与 D构成推拉式输出结构，提高了负载能力。 2、功能分析 1.输入全为高电平3.6V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 倒置放大 T2、T3 饱和导通， VB1=0.7×3=2.1（V ） 实现了与非门的逻辑功能之一：输入全为高电平时，输出为低电平 VC2=0.7+0.3=1（V ） T4、D 截止，输出 V0=0.3（V ） 由于 VBE1=2.1-3.6=-1.5（V ） T1处于倒置放大状态 2、功能分析 2.输入有低电平0.3V 0.3V 0.3 V 3.6 V 实现了与非门的逻辑功能之一：输入有低电平时，输出为高电平 iC1=0 iB1 iBS T1处于深度饱和状态 T1导通， VB1=0.7+0.3=1（V ） T2、T3 截止， VOH=5-0.7-0.7=3.6（V ） 3、TTL与非门的传输延迟时间 由于三极管存在开关时间，元、器件及连线存在一定的寄生电容，