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ICS 31.080.10
L 41 DB52
贵 州 省 地 方 标 准
DB 52/T 860—2013
5KP 系列硅瞬态电压抑制二极管详细规范
Detail specification for silicon transient voltage supprossor diode of
series 5KP
2013 - 12 - 06 发布 2014 - 02 - 01 实施
贵州省质量技术监督局 发 布
DB52/T 860—2013
目 次
前言 ................................................................................ II
1 范围 .............................................................................. 1
2 规范性引用文件 .................................................................... 1
3 符号和型号命名 .................................................................... 1
4 技术要求 .......................................................................... 1
5 质量一致性检验 .................................................................... 3
6 标志 .............................................................................. 8
7 订货资料 .......................................................................... 9
8 包装、贮存和运输 .................................................................. 9
9 使用注意事项 ...................................................................... 9
附录 A(规范性附录) 最大箝位电压 VCmax 的测试方法 ................................... 11
I
DB52/T 860—2013
前 言
本标准按GB/T 1.1—2009《标准化工作导则 第1部分:标准的结构和编写》给出的规则起草。
请注意:本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由贵州省机械电子产品质量监督检验院、中国振华集团永光电子有限公司提出。
本标准由贵州质量技术监督局归口。
本标准起草单位:贵州省机械电子产品质量监督检验院、中国振华集团永光电子有限公司。
本标准主要起草人:邹盛琳、江涛、唐文斌、曹珩、孟勤、章俊华、龚洪宾、李钢、杨朝辉、易晶
晶。
本标准附录A是规范性附录。
本标准首次发布。
II
DB52/T 860—2013
5KP 系列硅瞬态电压抑制二极管详细规范
1 范围
本标准规定了5KP12、5KP16、5KP33、5KP51、5KP60、5KP78、5KP100、5KP180、5KP200型硅瞬态
电压抑制二极管(以下简称器件)的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、贮存、运输。
本标准适用于器件的研发、生产、检验和使用。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅所注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 2423.3 电工电子产品基本环境试验规程 试验Ca:恒定湿热试验方法
GB/T 4023 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管
GB/T 4589.1 半导体器件 第10部分:分立器件和集成电路总规范
GB/T 4937 半导体分立器件机械和气候试验方法
GB/T 6571 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管
GB/T 11499 半导体分立器件文字符号
GB/T 12560 半导体器件 分立器件分规范
3 符号和型号命名
3.1 5KP 系列的型号命名由两部分组成,其含义为:
a) 5KP 表示瞬态功率为 5000W;
b) 5KP 后面的阿拉伯数字表示其最大反向工作电压。
3.2
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