第三章 径迹测量——固体探测器.pptVIP

第三章 固体探测器 1为什么要用半导体探测器？ 2半导体探测器是如何做成的，又是如何工作的？ 3探测器类型：微条和像素探测器、CCD 4例子：LHC上的探测器 1固体探测器——为什么要用硅？ ?硅晶体的一些特性参数 ?可选择的半导体 如何得到信号？ 纯的(不掺杂)半导体的电子密度为n， 空穴密度为p，并且n=p=ni，对于Si 来说， 在这个体积中有 的自由电荷 载体，而由最小电离粒子产生的电子－空 穴对只有 自由电荷载体的减少，也就是 消耗探测器 大多数探测器都是利用反向偏置 的p-n结 掺杂、电阻系数以及p-n结 反向偏置p+n结 消耗电压的计算(二极管) 单面微条探测器 ?P+层嵌在微条 (二极管微条探测器)里，而微条直接与读出系统相连 ?位置分辨率是由微条与微条之间的距离p决定的 举例：探测到电荷(大于阈值)，利用微条中心来作为带电粒子的坐标 典型的p值20?m-150?m之间 如果p为50?m，则位置分辨率为14.4?m 偏置电阻器与直流耦合 ?偏置电阻器 需要隔离微条以使彼此 测量或收集每个微条的电荷 高阻抗偏置连接 (1M?电阻器) ?耦合电容 通过电容耦合输入放大器是为了 避免由于漏电流而带来的直流电输入 ?电容和电阻的积分 ?偏置电阻是由掺杂的多晶硅组成 ?电容是由金属输出线，这些金属线是由绝 缘材料层(SiO2,Si3N4)彼此 分开 电荷信号 ?对于最小电离粒子所产生的电荷 信噪比(S/N) ?Landau分布有一个低能尾巴 -由于噪声的加宽作用而变得更低 ?由NADC噪声尾巴来选择好的击中 如果CUT太高 效率损失大 如果CUT太低 将混入很多噪声 ?S/N的典型值10-15，探测器由于 辐射而受到损坏将降低S/N 电荷收集时间与扩散 ?电荷收集时间 ?扩散 ?由于漂移电荷载体的散射，电荷“云”发生扩散，在td时间以后半径 ?电子和空穴的半径相同，因为td?1/? 典型的电荷半径??6?m，我们可以利用 这个来得到更好的位置分辨，因为两相 邻微条分享这些电荷(寻找电荷分布重 心)，但需保证漂移时间足够长(低电场内) 半导体探测器的特点 ?半导体探测器的优点 1非常好的位置分辨率 目前是高能物理探测器和核探测器中位置分辨率最好的。这是因为半导 体密度比气体高得多，带电粒子穿过探测器产生的电子－空穴对的密度 比一个大气压的气体高三个数量级。另外信噪比也比较高，并且每个读 出条对应一路读出电子学，更有利于空间分辨率的提高。目前硅微条探 测器的位置分辨率可好于?＝1.4?m 2很高的能量分辨率 半导体探测器的能量分辨率比气体探测器高大约一个数量级。这是因为 半导体中电离产生电子－空穴对只需3eV左右的能量，而气体原子电离 需要30eV。而且带电粒子在半导体中的能损也很高，大约为390 eV/?m。因此同样能量的带电粒子在半导体中产生的电子－空穴对数要 比气体中产生的离子对高一个数量级以上。这样电荷数的相对统计误差 也比气体小很多，所以能量分辨率很高。 双面硅探测器 ?得到第二维坐标 把p+和n+放在探测器的两面如图，并且 分别读出信号。 ?问题：电子堆积层 由于在Si和SiO2界面的电子堆积层，所以 n+-strip并不是绝缘的。这个效应是由于在 SiO2层的正电荷感应电子而产生的。 ?解决：“破坏”电子堆积层 探测器模块 硅漂移探测器 混合像素探测器 电荷耦合器CCD-Charged Coupled Devices MAPS-Monolithic Active Pixel Sensors DEPFET-DEP(leted)F(ield)E(ffect)T(ransistor) LHC的例子：CMS的径迹探测器 * * 3很宽线性范围 由于再一定能量范围内，半导体的平均电离能与入射粒子的基本能量无 关，所以半导体探测器具有很好的线性范围。 4非常快的响应时间 由于半导体的电子和空穴迁移率很高，而且探测器很薄，它的电荷在很 小的区域内收集，所以响应时间非常快，一般可达5ns。 5体积可做得很小 由于半导体密度大，有一定刚度，所以它可以做得很薄，典型厚度是 300?m。 ?半导体