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工业硅冶炼工艺简介
时间:2001-12-28 0:00:00? ? 来源: 本站原创?? 浏览次数: 3071 发表评论
所属分站: 硅系所属产品: 工业硅关 键 词:工业硅 金属硅文章摘要:
工业硅
工业硅冶炼的…
工业硅
工业硅冶炼的原料
??? 冶炼工业硅的原料主要有硅石、碳质还原剂。由于对工业硅中铝、钙、铁含量限制严格,对原料的要求也特别严格。
??? 硅石中SiO299.0%,Al2O30.3%,Fe2O30.15%,CaO0.2%,MgO0.15%;粒度为15~80mm。
???? 选择碳质还原剂的原则是:固定碳高,灰分低,化学活性好。通常是采用低灰分的石油焦或沥青焦作还原剂。但是,由于这两种焦炭电阻率小,反应能力差,因而必须配用灰分低,电阻率大和反应能力强的木炭(或木块)代替部分石油焦。为使炉料烧结,还应配入部分低灰分烟煤。必须指出,过多或全部用木炭,不但会提高产品成本,而且还会使炉况紊乱,如因料面烧结差而引起刺火塌料、难以形成高温反应区、炉底易开成SiC层、出铁困难等。
??? 对几种碳质还原剂的要求如表1-1所示。
??? 表1-1 碳质还原剂成分粒度要求
名称
挥发分/%
灰分/%
固定碳/%
粒度/mm
木炭
25~30
〈2
65~75
3~100
木块
〈3
〈150
石油焦
12~16
〈0.5
82~86
0~13
烟煤
〈30
8
0~13
??? 此外,碳质还原剂含水量要低且稳定,不能含其他杂物。
冶炼原理:
??? 工业硅冶炼基本原理??? 碳还原氧化硅的反应,通常以下式表示:? SiO+2C=Si+2CO 这是硅冶炼主反应的表达式,也是一般计算和控制正常熔炼依据的基础。但就碳还原氧化硅的整个反应过程来说,却有着复杂的反应机构。 A·Γ·沃多普亚诺夫(Bодопьянов)等指出,碳还原氧化硅是通过气相实现的。二氧化硅在变为气上时,分解出一氧化碳和分子氧,在惰性气氛中在非接触相互作用条件下,氧化硅和碳之间产生如下反应: 氧化硅的表面分解: 2SiO2=2SiO+O2 碳的表层与氧化硅分解产物相互作用: SiO+2C=SiC+CO O2+2C=2CO иoсo库勒科夫 (Kyлков)认为游离碳的存在能保证由SiO2把硅还原成碳化硅,但在温度低于1400℃时反应速度不大。如果系统温度不超过1620±30℃,在碳量不过剩时,全部碳都可以转变为碳化硅。 ыoсo赫鲁谢夫(Xpущев)还指出,在碳与氧化硅的反应过程中,存在着如下明显的次序性:
其中,是按SiO2=SiO+反应形成的氧。这些过程中,SiO2的分解、SiC的形成和破坏是两个重要的中间过程,还原剂对氧对SiO的反应能力愈强,愈能加速下列反应:
O+C=CO SiO+2C=SiC+CO 因而愈能促进SiO2的分解。 A.C.米库林斯基(Микулинский)提出了在熔炼硅的实际过程中电炉内不同区域的反应(见表1-2)。
表1-2?? 炉内不同区域发生的反应
区域
反应
上部
↑CO↑SiO↓C↓SiO2
SiO+2C=SiC+CO
中部
↑CO↑SiO↓SiO2↓SiC
SiO+SiC=2Si+CO
SiO2+CO=SiO+CO
CO+C=2CO
SiO2+C=2SiC
下部
↑CO↑SiO↓SiO2↓SiC
2SiO2=2SiO+O2
SiC+O2=SiO+CO
Go拉思(Rath)等人认为,在硅的熔炼过程中形成中间产物SiO和SiC具有重要意义,并根据温度和反应过程的不同,把电炉内整个反应过程划分为如下几个区域: (1)低温反应区(1100℃以下)。高温反应区的气体从料面逸出时,气体中残留的SiO与空气中的氧接触,发生如下反应:
在1100℃以下SiO不稳定,还可能发生如下过程: 2SiO=SiO2+Si (3-2) 但在还原剂活性表面上,优生发生下列反应: SiO+2C=SiC+CO (3-3) (2)生成SiC的区域(1100~1800℃)。反应3-3从1100℃开始已能较强烈地进行,到1537℃以后,能自发进行以下反应: SiO2+3C=SiC+2CO (3-4) (3)生成熔体硅的区域(1400℃以上)。在1410℃左右纯硅熔化(如能生成熔点更低的Fe-Si合金),超过纯硅熔点后,SiO与碳的反应强烈,生成硅: SiO+C=Si+CO (3-5) 从1650℃起,下列反应向右进行: SiO2+2C=Si+2CO (3-6) (4)分解区域(1800℃以上)。在1
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