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工业硅冶炼工艺简介.doc

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. . . . 资料整理 工业硅冶炼工艺简介 时间:2001-12-28 0:00:00? ? 来源: 本站原创?? 浏览次数: 3071 发表评论 所属分站: 硅系 所属产品: 工业硅 关 键 词:工业硅 金属硅 文章摘要: 工业硅 工业硅冶炼的… 工业硅 工业硅冶炼的原料 ??? 冶炼工业硅的原料主要有硅石、碳质还原剂。由于对工业硅中铝、钙、铁含量限制严格,对原料的要求也特别严格。 ??? 硅石中SiO299.0%,Al2O30.3%,Fe2O30.15%,CaO0.2%,MgO0.15%;粒度为15~80mm。 ???? 选择碳质还原剂的原则是:固定碳高,灰分低,化学活性好。通常是采用低灰分的石油焦或沥青焦作还原剂。但是,由于这两种焦炭电阻率小,反应能力差,因而必须配用灰分低,电阻率大和反应能力强的木炭(或木块)代替部分石油焦。为使炉料烧结,还应配入部分低灰分烟煤。必须指出,过多或全部用木炭,不但会提高产品成本,而且还会使炉况紊乱,如因料面烧结差而引起刺火塌料、难以形成高温反应区、炉底易开成SiC层、出铁困难等。 ??? 对几种碳质还原剂的要求如表1-1所示。 ??? 表1-1 碳质还原剂成分粒度要求 名称 挥发分/% 灰分/% 固定碳/% 粒度/mm 木炭 25~30 〈2 65~75 3~100 木块 〈3 〈150 石油焦 12~16 〈0.5 82~86 0~13 烟煤 〈30 8 0~13 ??? 此外,碳质还原剂含水量要低且稳定,不能含其他杂物。 冶炼原理: ??? 工业硅冶炼基本原理 ??? 碳还原氧化硅的反应,通常以下式表示: ?  SiO+2C=Si+2CO   这是硅冶炼主反应的表达式,也是一般计算和控制正常熔炼依据的基础。但就碳还原氧化硅的整个反应过程来说,却有着复杂的反应机构。   A·Γ·沃多普亚诺夫(Bодопьянов)等指出,碳还原氧化硅是通过气相实现的。二氧化硅在变为气上时,分解出一氧化碳和分子氧,在惰性气氛中在非接触相互作用条件下,氧化硅和碳之间产生如下反应:   氧化硅的表面分解:   2SiO2=2SiO+O2   碳的表层与氧化硅分解产物相互作用:   SiO+2C=SiC+CO   O2+2C=2CO   иoсo库勒科夫 (Kyлков)认为游离碳的存在能保证由SiO2把硅还原成碳化硅,但在温度低于1400℃时反应速度不大。如果系统温度不超过1620±30℃,在碳量不过剩时,全部碳都可以转变为碳化硅。   ыoсo赫鲁谢夫(Xpущев)还指出,在碳与氧化硅的反应过程中,存在着如下明显的次序性:      其中,是按SiO2=SiO+反应形成的氧。这些过程中,SiO2的分解、SiC的形成和破坏是两个重要的中间过程,还原剂对氧对SiO的反应能力愈强,愈能加速下列反应:   O+C=CO   SiO+2C=SiC+CO   因而愈能促进SiO2的分解。   A.C.米库林斯基(Микулинский)提出了在熔炼硅的实际过程中电炉内不同区域的反应(见表1-2)。 表1-2?? 炉内不同区域发生的反应 区域 反应 上部 ↑CO↑SiO↓C↓SiO2 SiO+2C=SiC+CO 中部 ↑CO↑SiO↓SiO2↓SiC SiO+SiC=2Si+CO SiO2+CO=SiO+CO CO+C=2CO SiO2+C=2SiC 下部 ↑CO↑SiO↓SiO2↓SiC 2SiO2=2SiO+O2 SiC+O2=SiO+CO   Go拉思(Rath)等人认为,在硅的熔炼过程中形成中间产物SiO和SiC具有重要意义,并根据温度和反应过程的不同,把电炉内整个反应过程划分为如下几个区域:   (1)低温反应区(1100℃以下)。高温反应区的气体从料面逸出时,气体中残留的SiO与空气中的氧接触,发生如下反应:      在1100℃以下SiO不稳定,还可能发生如下过程:   2SiO=SiO2+Si (3-2)   但在还原剂活性表面上,优生发生下列反应:   SiO+2C=SiC+CO (3-3)   (2)生成SiC的区域(1100~1800℃)。反应3-3从1100℃开始已能较强烈地进行,到1537℃以后,能自发进行以下反应:   SiO2+3C=SiC+2CO (3-4)   (3)生成熔体硅的区域(1400℃以上)。在1410℃左右纯硅熔化(如能生成熔点更低的Fe-Si合金),超过纯硅熔点后,SiO与碳的反应强烈,生成硅:   SiO+C=Si+CO (3-5)   从1650℃起,下列反应向右进行:   SiO2+2C=Si+2CO (3-6)   (4)分解区域(1800℃以上)。在1

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