电子科技大学2009半导体物理期末考试试卷B试题答案.docVIP

学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 ………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 第 PAGE 8 页 共 NUMPAGES 9页 电子科技大学二零 九 至二零 一零 学年第 一 学期期 末 考试 半导体物理 课程考试题 B卷 （ 120分钟） 考试形式： 闭卷 考试日期 2010年 元月 18日 课程成绩构成：平时 10 分， 期中 5 分， 实验 15 分， 期末 70 分 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 合计 复核人签名 得分 签名 得 分 得 分 填空题: （共16分，每空1 分） 简并半导体一般是 重 掺杂半导体，这时 电离杂质 对载流子的散射作用不可忽略。 处在饱和电离区的N型Si半导体在温度升高后，电子迁移率会 下降/减小 ，电阻率会 上升/增大 。 电子陷阱存在于 P/空穴 型半导体中。 随温度的增加，P型半导体的霍尔系数的符号 由正变为负 。 在半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，它们具有 杂质补偿 的作用，在制造各种半导体器件时，往往利用这种作用改变半导体的导电性能。 ZnO是一种宽禁带半导体，真空制备过程中通常会导致材料缺氧形成氧空位，存在氧空位的ZnO半导体为 N/电子 型半导体。 相对Si而言，InSb是制作霍尔器件的较好材料，是因为其电子迁移率较 高/大 。 掺金工艺通常用于制造高频器件。金掺入半导体Si中是一种 深能级 　　　 杂质，通常起 复合 中心的作用，使得载流子寿命减小。 有效质量 概括了晶体内部势场对载流子的作用，可通过回旋共振实验来测量。 某N型Si半导体的功函数WS 是4.3eV，金属Al的功函数Wm是4.2 eV， 该半导体和金属接触时的界面将会形成 反阻挡层接触/欧姆接触 。 有效复合中心的能级位置靠近 禁带中心能级/本征费米能级/Ei 。 MIS结构中半导体表面处于临界强反型时，表面少子浓度等于内部多子浓度，表面反型少子的导电能力已经足够强，称此时金属板上所加电压为 开启电压/阈值电压 。 金属和n型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正向偏压于金属，则半导体表面电子势垒高度将降低，空间电荷区宽度将相应地（减少/变窄/变薄）。 得 分 得 分 选择题（共15分，每题1 分） 如果对半导体进行重掺杂，会出现的现象是 D 。 禁带变宽 少子迁移率增大 多子浓度减小 简并化 已知室温下Si的本征载流子浓度为。处于稳态的某掺杂Si半导体中电子浓度，空穴浓度为，则该半导体 A 。 存在小注入的非平衡载流子 存在大注入的非平衡载流子 处于热平衡态 是简并半导体 下面说法错误的是 D 。 若半导体导带中发现电子的几率为0，则该半导体必定处于绝对零度 计算简并半导体载流子浓度时不能用波尔兹曼统计代替费米统计 处于低温弱电离区的半导体，其迁移率和电导率都随温度升高而增大 半导体中，导带电子都处于导带底Ec能级位置 下面说法正确的是 D 。 空穴是一种真实存在的微观粒子 MIS结构电容可等效为绝缘层电容与半导体表面电容的的并联 稳态和热平衡态的物理含义是一样的 同一种半导体材料中，电子迁移率比空穴迁移率高 空间实验室中失重状态下生长的GaAs与地面生长的GaAs相比，载流子迁移率要高，这是因为 B 。 无杂质污染 晶体生长更完整 化学配比更合理 宇宙射线的照射作用 半导体中少数载流子寿命的大小主要决定于 A 。 复合机构 散射机构 禁带宽度 晶体结构 若某材料电阻率随温度升高而单调下降，该材料是 A 。 本征半导体 杂质半导体 金属导体 简并半导体 对于只含一种杂质的非简并ｐ型半导体，费米能级随温度上升而 D 。 上升 下降 不变 经过一极值后趋近Ei GaAs具有微分负电导现象，原因在于在强电场作用下， A 。 载流子发生能谷间散射 载流子迁移率增大 载流子寿命变大 载流子浓度变小 以下4种不同掺杂情况的N型Ge半导体中，室温下电子迁移率由大到小的顺序是 C 。 掺入浓度1014 cm 掺入浓度1015 cm 掺入浓度2×1014 cm-3的P原子，浓度为 掺入浓度3×1015 cm-3的P原子，浓度为2×10 abcd bcda acbd dcba 以下4种Si半导体，室温