第一章二极管及其基本电路.pptVIP

* 将指数模型 分段线性化，得到二极管特性的等效模型。 * 反向击穿电压小于5V的二极管一般具有齐纳击穿过程： ????? ?反向击穿电压大于8V的二极管具有雪崩击穿过程； ?????? 反向击穿电压在5V～8V之间的二极管可能同时具有齐纳或雪崩击穿过程。 * Vth V（BR） vD/V iD/mA iD/μA 两点说明： ①关于死区电压 二、二极管的V-I 特性 两点注意： ①关于死区电压 ②与温度的关系 在环境温度升高时，二极管的正向特性曲线将左移，反向特性曲线下移。二极管的特性对温度很敏感。 导通电压： VD = 0.7V（硅） VD = 0.2V（锗） 反向饱和电流：硅：0.1?A；锗：10?A * §3.3 二极管 三、二极管的主要参数： (1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM (3) 反向电流IR (5) 反向恢复时间TRR (4) 极间电容Cj PN结高频小信号时的等效电路： * 四、二极管的基本电路及其分析方法 §1.2 二极管 理想二极管符号 a.理想模型 iD vD ＋ － vD iD 正偏时，管压降为0V，即vD=0V； 适用 当电源电压远比二极管的管压降大时可用 1. 二极管V- I 特性的建模 反偏时，认为R=∞，电流为0。 * b.恒压降模型 恒压降模型 当