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习题
习 题
2.1 求题图2.1电路的静态工作点ICQ和VCEQ的值。已知晶体管的VBE=-0.7V,。
题图2.1 题图2.2
解:转换为戴维南等效电路如下图:
其中
列输入回路KVL方程:,
2.2 已知题图2.2电路中场效应管的夹断电压VP=-2V,工艺参数。求静态工作点VGSQ、IDQ和VDSQ的值。
解:耗尽型N沟道MOSFET管,采用混合偏置:
,解得:
作为耗尽型N沟道MOSFET管而言,要求
此时
2.3 放大电路及其静态图解如题图2.3所示。试估算电路的静态工作点ICQ和VCEQ各为多少?集电极电阻RC为多少?
题图2.3
解:从输出特性曲线可知:VCC =12 V
因此 (必忽略VBE,否则输出曲线上无对应点)
对应输出特性曲线:(找出曲线,平行于横轴作平行线与纵轴交点)
,故,。
2.4 在测绘某电子设备的部分电路时,画得放大电路如题图2.4所示,但半导体器件型号模糊不清。试判断画出一种可能的可以使该电路正常工作的管子符号。
题图2.4 题图2.5
解:因为直流偏置电压源是+VCC
如果是晶体管,则为NPN型;如果是场效应管,则为N沟道(增强型或耗尽型);
2.5 某放大器的图解如题图2.5所示。问:
(1) 放大器的静态工作点(VCEQ,ICQ)为多少?
放大器的直流负载和交流负载电阻各为多少?
放大器的直流电源电压为多少?放大器的输出不失真动态范围约为多少伏?
解:1) 从输出特性来看,静态工作点是直流负载线和交流负载线的交点,故;
2) 从特性曲线看,负载电阻是负载线斜率倒数,故;
注:从特性曲线看,交流负载线与纵轴不相交,故需要把Q点作为参照;
3) 从输出特性来看,直流电压源是直流负载线与横轴交点,故;
从输出特性来看,信号不失真动态范围是交流负载线左右两侧距Q点最小值,由于Q点偏低,故直接取右侧,从图上可以看出,
2.6 场效应管放大电路及其静态图解如题图2.6所示。试估算电路的静态工作点IDQ和VGSQ各为多少?源极电阻RS的值为多少?漏极电阻RD的值为多少?
解:采用耗尽型N沟道MOSFET,且采用自给偏置。
,从转移特性曲线看出:
由于,以Q点作参照,则
由于,故直流负载线斜率倒数对应电阻,求得;
在题图2.7所示放大电路中,已知晶体管的,VBE=0.7V。
计算工作点ICQ和VCEQ;
若要求ICQ=0.5mA,VCEQ=6V,求所需的RB和RC的值(标称值)。
题图2.7 题图2.8
解:1) 工程估算法:
,
2)
,
说明:若考虑VBE影响,则结果与书中参考答案一致。
电路如题图2.8所示。已知晶体管的,VBE=-0.3V。
(1) 当偏置电阻RB1、RB2分别开路,估算集电极电位VC的值,并说明管子的工作状态。
(2) 若RB2开路时要求ICQ=2mA,确定RB1应取多大 (标称值)。
解:1) 工程估算法:
2.9 判断题图2.9中各电路是否具有正常放大作用?若无正常放大作用则说明理由。
解:正常放大需要直流通路(Q点合理)和交流通路(信号有效输入和输出)都正确。
通常都是先考虑直流通路,然后再考虑交流通路。
序号
有无放大作用
原 因
(a)
不能
直流通路不正确
(b)
不能
交流信号输出端接地
(c)
不能
基极无偏置电压
(d)
不能
交流信号输入端接地
(e)
不能
基极偏置电压极型错误
(f)
能
交直流通路正确
2.10 判断题图2.10中各电路是否具有正常放大作用?若能正常放大信号则说明它们属于何种组态?
题图2.10 (a) (b) (c) (d)
序号
有无放大作用
何种组态
(a)
不能
交流信号被短路
(b)
能
共基组态(CB)
(c)
能
共源组态(CS)
(d)
不能
增强型管子不能采用自给偏置
2.11 场效应管放大器及其输入、输出波形如题图2.11所示。试判断输出波形产生了何种失真?在电路上采取何种方法可以消除该失真。
题图2.11
分析:BJT或FET做线性放大而言,Q点设置不合理会产生截止失真和饱和失真;
根据定义进入信号
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