第一章半导体的n型、p型掺杂.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * 半导体的n型、p型掺杂 教 师：黄辉 办公室：创新园大厦A1226 本章内容 * 1.半导体概述 2.本征半导体 3.杂质半导体 4.掺杂工艺简介 1.半导体概述 * 根据物体导电能力（电阻率）的不同，物质可分为导体(ρ10-1Ω·cm)、绝缘体(ρ109 Ω·cm)和半导体(10-1Ωρ109Ω·cm)三大类。 半导体应用极为广泛，因为它具有热敏性、光敏性、掺杂性等特殊性能。 1.半导体概述 * 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等，其都是4价元素（外层轨道上的电子通常称为价电子），其原子结构模型和简化模型如图所示。 1.半导体概述 * 每个原子最外层的价电子，不仅受到自身原子核的束缚，同时还受到相邻原子核的吸引。因此，价电子不仅围绕自身的原子核运动，同时也出现在围绕相邻原子核的轨道上。于是，两个相邻的原子共有一对共价电子，这一对价电子组成所谓的　　　。硅、锗原子的共价键结构如图所示。 2.本征半导体 * 纯净的、不含其他杂质的半导体称为本征半导体。 在室温下，本征半导体共价键中的价电子获得足够的能量，挣脱共价键的束缚成为自由电子，在原位留下一个空穴，这种产生电子-空穴对的现象称为本征激发。 在热力学温度零度（即T=０Ｋ，相当于-273℃）时，价电子的能量不足以挣脱共价键的束缚，因