第7章 磁传感器.pptVIP

第7章 磁传感器 （一）霍尔效应 霍尔元件 基于霍尔效应工作的半导体器件称为霍尔元件 （二）霍尔元件的电磁特性 　　① UH –I 特性在磁场和环境温度一定时，霍尔输出电势UH与控制电流 I 之间呈线性关系，如图所示，直线的斜率称为控制电流灵敏度，用k1表示 k1 =(UH /I )B恒定 　代入可以得到 k1 =kHB 　　 　② UH -B 特性当控制电流一定时，霍尔元件的开路输出随磁感应强度的增加并不是完全成线性关系，只有当B小于 0.5T 时， UH –B 的线性度才比较好。 ③ R -B 特性R -B特性是指霍尔元件的输入（或输出）电阻与磁场之间的关系，霍尔元件的内阻随磁场的绝对值增加而增大，这种现象称磁阻效应。 (二)霍尔元件的误差和补偿 1.不等电势U0及补偿 零位误差是霍尔元件在不加磁场或不加控制电流时产生的霍尔电压，而不等位电势U0是主要的零位误差。不等位电势是由于元件输出极焊接不对称、厚薄不均匀以及两个输出电极接触不良等原因造成的。如下图(a)所示。 除工艺上尽量使霍尔电极对称来降低U0，还需采用补偿电路加以补偿。下图给出几种常用的补偿方法。通常在某一桥臂上并上一定电阻而将U0降到最小，甚至为零。 2