第8章MOS场效应器件性能与设计(2).pptVIP

* * 半导体器件原理 南京大学 阈值电压的优化 阈值电压和关断电流难以取得平衡(Vt/Ids) 阈值电压与电源电压及器件性能之间的矛盾 （Vt/Vdd) 阈值电压与耗尽层厚度及体效应系数之间的矛盾(Vt/Wdm/m) 半导体器件原理 南京大学 图形解释 均匀掺杂 半导体器件原理 南京大学 非均匀掺杂: 如xs趋于表面，同时NS较大，可以增加Vt而几乎不改变W0dm 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 CMOS设计的考虑 工艺限制与系统兼容的要求，需要对电路参数进行优化 对一给定的技术水平，并没有唯一的设计方法，而是给出器件参数选择的总体思路。 为控制短沟道效应，最大耗尽层宽度Wdm： Lmin/mWdm?2 亚阈值斜率2.3mkT/q及衬底灵敏度dVt/dVbs=m-1随m增大而变差，并导致低的饱和电流。m1.5 氧化层电场Emax决定最小的氧化层厚度tox 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 电源电压与阈值电压的趋势 阈值电压低限由关断电流决定： Vt ?0.4V，高限由电路延迟或性能决定：Vt?Vdd/4 如Vdd较大， 0.4V ? Vt?Vdd/4，阈值电压容易选择 当短沟道尺寸变小电源电压减小时，就需