电阻的概念及其进展.PPTVIP

电阻的概念及其发展 浙江师范大学数理信息学院 童国平 内容提要 欧姆电阻 产生电阻的主要因素 霍尔电阻 磁致电阻 巨磁电阻 纳米结构电阻 * * 1. 欧姆电阻 金属的欧姆电阻: 电阻率一般是温度T的函数, 其温度系数为: 解此微分方程可得: 欧姆电阻 其中 对大多数简单金属, 电阻率的温度系数近似为一常数: 欧姆电阻 欧姆定律的微分式可写为: 其中 为金属的直流电导率: 电子弛豫时间 电子质量 电子密度 电子有效质量 2. 产生电阻的主要因素 1) 电子-声子散射 结构完整的理想晶格: 电子主要受声子的散射 声子: 是格波正则量子化的准粒子 - -- 声子 产生电阻的主要因素 2) 电子受杂质原子散射 - 杂质原子 弹性散射 源于杂质原子基态和最低激发态之间的能量间隔远大于电子热运动能量: 几乎没有杂质原子处于激发态, 故在散射中能给电子能量. 与温度T无关 (剩余电阻) 产生电阻的主要因素 3) 电子受磁性杂质原子散射 磁性杂质原子 自旋 -- 第一个电子与磁性杂质原子散射将改变该磁性原子的自旋. 被改变自旋的磁性杂质原子又会对第二个散射电子产生影响. 形成电子关联 s自旋 Kondo 电阻: 产生电阻的主要因素 金属的电阻率一般可表示为: 此式称为马西森( Matthiessen’s rule)定则. 考虑到磁性原子的散射: 3