11级生物工程第2讲.pptVIP

种类 符号 转移特性 漏极特性 结型N沟道 耗尽型 结型P 沟道 耗尽型 绝缘栅型 N沟道 增强型 S G D ID uGS /V ID /mA UP IDSS UGS ID UP IDSS ID UDS=0 V - - - S G D ID ID UDS=0 V + UDS + + o S G D B ID UGS ID O UT + UGS = UT UDS ID + + + 各类场效应管的符号和特性曲线 种类 符号 转移特性 漏极特性 绝缘栅型N沟道 耗尽型 绝缘栅型P沟道 增强型 耗尽型 ID S G D B UDS ID _ UGS=0 + _ _ O ID UGS UP IDSS O S G D B ID S G D B ID ID UGS UT O ID UGS UP IDSS O _ ID UDS=UT UDS _ o _ UDS=0 V + _ ID UDS o + 本章内容要点 1.杂质半导体分为P型半导体和N型半导体。 P型半导体中，空穴为多数载流子；N型半导体 中，电子为多数载流子。 3.稳压管在反向击穿状态时，起稳压作用。 4.三极管有三个极，分别是基极、集电极和发射极 3.硅二极管的死区电压为0.6～0.8V，锗管为0.2V。 5.三极管有两个PN结，分别是发射结和集电结 2.二极管是由PN结组成，具有单向导电性。 6.晶体管的输出特性曲线分为三个工作区： 放大区、截止区、饱和区 IB=0 饱和区 8 IC(mA) A 20μA 40μA 60μA 4 截止区 放大区 6 UCE 发射结和集电结均处于反向偏置 截止区 放大区 发射结正偏，集电结反偏 发射结和集电结均处于正向偏置，c,e之间相当于开关的接通状态。 饱和区 7.三极管的电流分配关系 很重要，必须牢记，灵活运用 2 极间反向电流ICBO和ICEO EC μA b c e ICBO RB EB ICBO的测量 ICEO=ICBO+ βICBO=(1+β)ICBO μA b c e ICEO EC ICEO的测量 ICBO集电极反向电流，ICEO是穿透电流。 习题： 9、13、14。 下次讲课内容： 第十章 直流电源 1.3.4 三极管的主要参数 三极管的连接方式 IC IE + C2 + C1 VEE Re VCC RC 共基极接法 VCC Rb + VBB C1 T IC IB C2 RC + 共发射极接法 一、电流放大系数 是表征管子放大作用的参数。有以下几个： 1. 共射电流放大系数 ? 2. 共射直流电流放大系数 忽略穿透电流 ICEO 时， 3. 共基电流放大系数 ? 4. 共基直流电流放大系数 忽略反向饱和电流 ICBO 时， ? 和 ? 这两个参数不是独立的，而是互相联系，关系为： 二、反向饱和电流 1. 集电极和基极之间的反向饱和电流 ICBO 2.集电极和基极之间的反向饱和电流 ICEO ICBO测量电路 ICEO测量电路 ICBO c e b ?A ICEO ?A c e b 小功率锗管 ICBO 约为几微安；硅管的 ICBO 小，有的为纳安数量级。 当 b 开路时， c 和 e 之间的电流。 值愈大，则该管的 ICEO 也愈大。 三、 极限参数 1. 集电极最大允许电流ICM 当 IC 过大时，三极管的 ? 值要减小。在IC = ICM时， ? 值下降到额定值的三分之二。 2. 集电极最大允许耗散功率 PCM 过 损 耗 区 安 全 工 作 区 将 IC 与 UCE 乘积等于规定的 PCM 值各点连接起来，可得一条双曲线。 ICUCE PCM为安全工作区 ICUCE PCM 为过损耗区 IC UCE O PCM = ICUCE 安 全 工 作 区 安 全 工 作 区 过 损 耗 区 过 损 耗 区 过电压 IC U(BR)CEO UCE O 过 损 耗 区 安 全 工 作 区 ICM 过流区 3. 极间反向击穿电压 外加在三极管各电极之间的最大允许反向电压。 U(BR)CEO: 基极开路时，集电极和发射极之间的反向击穿电压。 U(BR)CBO: 发射极开路时，集电极和基极之间的反向击穿电压。