中国科大半导体器件物理课件3.ppt

半导体器件物理 第三章： 双极型晶体管 §3.1 基本原理 §3.2 IV特性 §3.3 晶体管模型 §3.4 频率特性 §3.5 功率特性 §3.6 开关特性 §3.7 异质结晶体管HBT 简介 双极型器件是电子和空穴两种载流子都参与导电的半导体器件 从P-N结理论的讨论中已知电流输运是由电子和空穴两种载流子组成的，故由P-N结组成的晶体管又称作双极晶体管。双极晶体管是最重要的半导体器件之一。 1947年由贝尔实验室的一个研究小组发明。 §3.1 晶体管的基本原理 1、基本结构及其杂质分布 基本结构 由两个P-N结共用一个基区组成的。 在两个结中，一个叫发射结，一个叫集电结。中间区域就叫基区，而另两个区与结相对应的被称作发射区和集电区。 器件具有三个电极端子，分别称作发射极，基极和集电极。 2、晶体管的放大原理 以均匀基区P-N-P晶体管为例分析其基本物理图象：内部载流子的运动。 3、晶体管端电流的组成 工作在放大状态下pnp晶体管的各个电流分量为： IEP：从发射区注入的空穴电流， IEN：从基区注入到发射区的电子电流， ICN：集电区－基区结附近的热电子漂移到基区形成的电流， ICP：集电区－基区结的空穴注入电流。 IBR＝IEP－ICP，基区内电子与空穴电流的复合而必须补充的电子电流。 4、 晶体管的电流增益 直流共基极