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光化学原理与应用-3 CPU 芯片 近十年，Intel CPU的布线宽度经历了180nm，130nm，90nm，65nm，45nm这几个阶段 电路板 光化学加工与光刻 光刻(photoetching)是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺。在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。被除去的部分可能形状是薄膜内的孔或是残留的岛状部分。 光刻工艺：硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。 一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关（因为不同级别的曝光波长对应不同的光刻胶种类和分辨率）：I-line最厚，约0.7～3μm；KrF的厚度约0.4～0.9μm；ArF的厚度约0.2～0.5μm。 一种光刻胶 聚甲基丙烯酸．1，4-二氧螺环[4，4]一2一甲醇酯 曝光方法 a、接触式曝光（Contact Printing）。掩膜板直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当，设备简单。1970前使用，分辨率 0.5μm。 掩膜版和硅片直接接触,掩膜版 寿命短 b、接近式曝光（Proximity Printing）。掩膜板与光刻胶层的略微分开，大约为10～50μm。1970后使用，但是其最大分辨率仅为2～4μm。 c、投影式曝光（Projection Printing）。在掩膜板与光刻胶之间使用透镜聚集光实现曝光。一般掩膜板的尺寸会以需要转移图形的4倍制作。优点：提高了分辨率；掩膜板的制作更加容易； 投影式曝光分类 扫描投影曝光: 70年代末～80年代初，1μm工艺；掩膜板1：1，全尺寸； 步进重复投影曝光: 80年代末～90年代，0.35 μm（I line）～0.25μm（DUV）。掩膜板缩小比例（4：1），曝光区域（Exposure Field）22×22mm（一次曝光所能覆盖的区域）。 扫描步进投影曝光: 90年代末～至今，用于≤0.18μm工艺。采用6英寸的掩膜板按照4：1的比例曝光，曝光区域（Exposure Field）26×33 mm。优点：增大了每次曝光的视场；提供硅片表面不平整的补偿；提高整个硅片的尺寸均匀性。 0.18μm的CMOS扫描步进光刻工艺 　　光源：KrF氟化氪DUV光源（248nm）； 　　数值孔径NA：0.6～0.7； 　　焦深DOF：0.7μm； 　　分辨率Resolution：0.18～0.25μm（一般采用了偏轴照明OAI_Off-Axis Illumination和相移掩膜板技术PSM_Phase Shift Mask增强）； 　　套刻精度Overlay：65nm； 　　产能Throughput：30～60 wafers/hour（200mm）； 　　视场尺寸Field Size：25×32 mm； 　显影（Development） 显影液： a、正性光刻胶的显影液。正胶的显影液为碱性水溶液。KOH和NaOH因为会带来可动离子污染（MIC，Movable Ion Contamination），所以在IC制造中一般不用。最普通的正胶显影液是四甲基氢氧化铵（TMAH）（标准当量浓度为0.26，温度15～25 oC）。在I线光刻胶曝光中会生成羧酸，TMAH显影液中的碱与酸中和使曝光的光刻胶溶解于显影液，而未曝光的光刻胶没有影响； b、负性光刻胶的显影液。二甲苯。清洗液为乙酸丁酯或乙醇、三氯乙烯。 光合作用 呼吸作用 光合作用 光合作用中的集光复合体（能量转移） 光谱拓宽（植物中的叶黄素） 天线复合物LHC-II结构 叶黄素吸收400-500nm区间的光，将能量转移给叶绿素a. 光合作用中的电子转移（H的产生） 电子传递中的电势差（ATP的产生） 光致能量转移、电子转移应用 红色荧光粉材料Gd1-xEuxAl3(BO3)4 FRET能量转移 根据FRET的效率，判断生物分子相互作用的情况。 染料敏化太阳能电池 彩色胶卷 Dye+ AgX ? Dye+ + Ag0 + X-