材料制备科学与技术.docVIP

晶胞：空间点阵可分成无数等同的平行六面体，每个平行六面体称为晶胞。 晶格：空间点阵可以看成在三个坐标方向上无数平行坐标轴的平面彼此相交所形成的格点的集合体，这种集合体是一些网络，称为晶格。 晶体缺陷：在实际的晶体中，原子规则排列遭到破坏而存在偏离理想晶体结构的区域。可分为点缺陷、线缺陷和面缺陷三类。 点缺陷：它是完整晶体中一个或几个原子规则排列被破坏的结果，其所发生区域的尺寸远小于晶体或晶粒的线度。它有两种基本类型，即空位和填隙原子。 缺陷形成能：各类缺陷的形成能EF的数值可以直接反映特定缺陷形成的难易程度，材料合成环境对于缺陷形成的影响及复合缺陷体系的稳定性等。 位错能（位错的应变能）：晶体中位错的存在会引起点阵畸变，导致能量增高，这种增加的能量即为位错能，包括位错的核心能量和弹性应变能量（占总能量的9/10）。 位错反应：位错的合并于分解即晶体中不同柏氏矢量的位错线合并为一条位错线或一条位错线分解成两条或多条柏氏矢量不同的位错线。 柯氏气团：金属内部存在的大量位错线，在刃型位错线附近经常会吸附大量的异类溶质原子（大小不同吸附的位置有差别），形成所谓的“柯氏气团”。 过冷度：指熔融金属平衡状态下的相变温度与实际相变温度的差值。每一种物质都有其平衡结晶温度即理论结晶温度，但在实际结晶过程中，实际结晶温度总是低于理论结晶温度，两者的温度差值即为过冷度。 均匀成核：在亚稳相系统中空间各点出现稳定相的几率都是相同的。不借助任何外来质点，通过母相自身的原子结构起伏和成分起伏、能量起伏形成结晶核心的现象。 非均匀成核：在亚稳相系统中稳定相优先出现在系统中的某些局部，称为非均匀成核 自发形核：指液态金属绝对纯净，无任何杂质，也不和器壁接触，只是依靠液态金属能量的变化，由晶胚直接生核的过程。 非自发形核：晶核依附于外来杂质（包括液态内部的固相质点或与其他固体接触的界面）而形成的现象。 成核率：单位时间、单位体积内能发展成为晶体的晶核数，用I表示。 平衡分配系数：指在固液两相体系达平衡状态时，溶质在两相中的浓度的比值，即Ko=Cs/CL .。Ko为平衡分凝（分配）系数；Cs、CL分别为固相与液相的平衡成分。 平衡凝固：在一定的压力条件下，凝固体系的温度、成分完全由相应合金系的平衡相图所规定，这种理想状态下的凝固过程即平衡凝固。 成分过冷：由于在不平衡凝固时，液相中溶质分布不均匀，在正常温度梯度下也会引起过冷。这种由于成分不均匀引起的过冷称为成分过冷。 成分偏析：由于凝固或固态相变而导致的合金中化学成分的不均匀分布。 宏观偏析：在不存在成分过冷且晶体以平面方式生长时，先结晶部分的溶质浓度低，后结晶部分的溶质浓度高，晶体宏观各区成分不均匀，此类偏析称为宏观偏析。 胞状偏析：在有小的成分过冷，晶体以胞状方式生长时，先结晶的胞状凸出部分溶质含量低，被排出的溶质向周围扩散，在侧向富集，最后结晶，因而胞晶内部溶质浓度低，形成胞状偏析。 树枝状偏析：当成分过冷很大，晶体以树枝状方式生长时，先结晶的枝晶主干部分溶质含量低，后结晶的枝晶外周部分富集溶质，形成树枝状偏析。 1.熔盐生长法（助熔剂法、高温溶液法、熔盐法）：是在高温下从熔融盐溶剂中生长晶体的方法。 物理气相沉积（PVD)技术包括（）常用于沉积薄膜和涂层，沉积薄膜的厚度可以从10-1nm级到mm级变化。 外延是指在单晶衬底上生长同类单晶体（同质外延），或者生长具有共格或半共格的异类单晶体（异质外延）的技术。 溅射镀膜：用动能为几十电子伏的粒子束照射沉积材料表面（一般称为“靶”），使表面原子获得入射粒子所带的一部分能量并脱离靶体后，在一定条件下沉积在基片上的镀膜方法。 化学气相沉积（CVD）：在一个加热的基片或物体表面上，通过一种或几种气态元素或化合物产生的化学反应，而形成不挥发的固态膜层或材料过程。 化学溶液镀膜法：指在溶液中利用化学反应或电化学原理在基体材料表面上沉积成膜的一种技术。它包括各种化学反应沉积、阳极氧化、电镀等。 阳极氧化法：铝、钽、钛、铌、钒等阀型金属，在相应的电解液中作阳极，用石墨或金属本身作阴极，加上合适的直流电压时，会在这些金属的表面上形成硬而稳定的氧化膜，这个过程即阳极氧化，此法制膜称为阳极氧化法。 液相外延：是指含溶质的溶液（或熔体）借助过冷而使溶质在衬底上以薄膜形式进行外延生长的方法。 真空蒸镀：在一定的真空条件下加热被蒸镀材料，使其熔化(或升华)并形成原子、分子或原子团组成的蒸气，凝结在基底表面成膜。 溅射：溅射是一种物理气相淀积技术，它是形容固体靶中的原子被高能量离子撞击而离开固体进入气体的物理过程。溅射过程中的离子通常来自等离子体 离子镀：在真空条件下，利用气体放电使气体或被蒸发物质部分电离，并在气体离子或被蒸发物质离子的轰击下，将蒸发物质或其反应物沉积在基片上的方