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PAGE 2 微波电子线路 课程作业 学 生 张** 年 级 2010级 班 级 021014 班 学 号 021012** 专 业 电子信息工程 学 院 电子工程学院 西安电子科技大学 2013年5月 肖特基势垒二极管及其混频器分析 利用金属与半导体接触形成肖特基势垒构成的微波二极管称为肖特基势垒二极管。这种器件对外主要呈现非线性电阻特性，是构成微波混频器、检波器和微波开关等器件的核心元件。目前绝大多数混频器都采用肖特基势垒二极管，因为肖特基势垒二极管的耗尽电容比PN结电容小的多，因此肖特基势垒二极管更适合微波频率下工作。 肖特基势垒二极管的等效电路如右图所示： 肖特基二极管作为非线性电阻应用时，除结 电容Rj 能造成影响，应尽量减小它们本身的值，或在微 波电路设计时，充分考虑这些寄生参量的影响。 一般的，肖特基势垒二极管的伏安特性可以表示为 I=f 对于理想的肖特基势垒，n=1；当势垒不理想时，n1,点接触型二极管n1.4,面结合型二极管n≈1.05~1.1。 特性参量： 截止频率 噪声比 t 中频阻抗 200~600Ω 变频损耗 L=10lg 描述二极管混频器的混频过程，需要建立一个等效电路。由于混频二极管是一个单向器件，不仅与uL和us差拍产生新的频率，而其电流在一定的阻抗上所建立起的电压也会反过来加到二极管上该电压与uL 本振电压 中频 混频器等效电路如右图所示： 信频、中频和镜频电流的幅值为： I 由等效电路可以求出变频损耗。微波混频器的作用是将微波信号转换为中频信， 频率变换后的能量损耗即为变频损耗。 变频损耗主要包括三部分： 由寄生频率产生的净变频损耗L0 由混频二极管寄生参量引起的结损耗Lj 混频器输入/输出端的失配损耗La 具体的公式在课本101页到106页，由于公式较多，限于篇幅，这里就不一一给出。 结论；混频器的变频损耗载镜频开路时变频损耗最低，镜频匹配时变频损耗最高。变频损耗 与本振功率有关，在最佳本振功率时，变频损耗最低。如下图所示。 变容二极管及其上变频器分析 结的结电容（主要是势垒电容）随着外加电压的改变而改变，利用这一特性可以构成变容二极管（简称为变容管）。变容管作为非线性可变电抗器件，可以构成参量放大器、参量变频器、参量倍频器（谐波发生器）、可变衰减或调制器等。 结电容可以表示为以下普遍形式： 式中：称为结电容非线性系数，取决于半导体中参杂浓度的分布状态。 给变容管加上直流负偏压和交流信号（泵浦电压） ，即 由上式得时变电容为 式中：， 其中：为直流工作点处的结电容；p为相对泵浦电压幅度（简称相对泵幅），表明泵浦激励的强度。P=1时，为满泵工作状态；p1时，为欠泵工作状态；p1时，为过泵工作状态。典型的工作状态是p1且接近于1的欠泵激励状态，不会出现电流及相应的电流散粒噪声。 假设二极管上的激励电荷为 式中：假定t=0时初相位均相同。 流过二极管的电流为 为求的二极管上的电压u(t)，应先推导出变容管上的电荷-电压（q-u）特性。根据变容管原理，利用 关系求得电容上存储的电荷为 于是可得 上式表示q(u)的一般特性。式中： 按积分式本应为负值，但为使q-u特性使用方便，因此在上式中令 为正值，这并不影响q-v特性的物理实质。 对于突变结变电容， ，于是上式可写成 令 ，故得 由此得到 式中：。 若在变容管上加入正弦变化的电荷激励，根据q-u特性，则二极管上的电压为非正弦波，如图4-5所示。图中二极管上的电压限制在 的范围内，为满激励（全激励）状态。此时取 ，可得到最大交变电荷幅度。将这种最佳状态下的工作参数代入式（4-17），可得 式中：m为电荷激励系数，，，。 设，由式求得变容管上的电压为 将式进行比较，由变容管上的电压和流过电流之间的相位关系可以看出：对、和既有同相分量，也有正交分量，而且对输出频率，电路呈现负阻及容抗，对和均呈现正阻及容抗，这说明有频率分量的能量输出。 阶跃恢复二极管及其倍频器分析 阶跃管采用了结构，其中很薄的N层的载流子浓度很低，几乎接近本征层。 阶跃管特性： 实际中，阶跃管在大信号交流电压的激励下，电容的开关状态在外电压由正半周到负半周的转变时刻不发生转换。 （1）大信号交流电压正半周加在阶跃管上时，处于正D向导通状态，阶跃管相当于一个低阻，阶跃管的端压u箝位于PN结接触电势差，管子中有电流i留过；阶跃管相当于一个大扩散电容，交流信号将对其进行充电，由于空穴在N层的复合率比较低，因而有大量的空穴电荷在N区堆积起来。 （2）信号电压进入