Q_ATK 106-2018RM3225型片式薄膜固定电阻器 详细规范.pdf

Q/ATK 蚌埠市双环电子集团股份有限公司企业标准 FL 6101 Q/ATK 106-2018 RM3225 型片式薄膜固定电阻器 详细规范 2018-12-5 发布 2018-12-25 实施 蚌埠市双环电子集团股份有限公司 批准 Q/ATK 106-2018 前 言 本规范是GJB 1432B-2009 《片式膜固定电阻器通用规范》的相关详细规范。 本规范的附录A为资料性附录。 本规范起草单位：蚌埠市双环电子集团股份有限公司。 本规范主要起草人：邵建强、李福喜、黄明怀、李开锋、任颂博 1 Q/ATK 106-2018 RM3225 型片式薄膜固定电阻器详细规范 1 范围 本规范规定了RM3225型片式薄膜固定电阻器（以下简称电阻器）的详细规范。 2 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有 的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本规范。凡是不注日期的引用文件，其最新版本 适用于本规范。 GJB 1432B-2009 片式膜固定电阻器通用总规范 GJB 179A-1996 计数抽样检验程序及表 GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法 GJB 546B-2011 电子元器件质量保证大纲 GJB 3014-1997 电子元器件统计过程控制体系 GJB 3243-1998 电子元器件表面安装要求 GB/T 5729-2003 电子设备用固定电阻器第一部分：总规范 3 要求 3.1 总则 电阻器应符合本规范和GJB 1432B-2009规定的要求。本规范的要求与总规范不一致时，应以本规 范为准。 3.2 接口和外形尺寸 3.2.1 设计、结构和外形尺寸 电阻器采用高氧化铝陶瓷基片作为基体，在基体上通过真空磁控溅射工艺方式形成内电极、合金电 阻膜层及钝化层，采用光刻和激光刻槽工艺进行调阻，通过印刷介质浆料形成保护层膜层，采用真空 磁控溅射工艺方式形成侧电极，最后采用电镀工艺形成外电极。 电阻器引出端型式为B 型引出端（包头为锡焊），电阻器的结构和外形电阻器的结构和外形尺寸应 符合图1 和表1 的规定。 图1 外形结构图 2 Q/ATK 106-2018 表1 外形尺寸 单位为毫米 型 号 L W H M N RM3225 3.20 ±0.20 2.50 ±0.15 0.50 ±0.15 0.50 ±0.20 0.50 ±0.20 3.2.2 引出端材料 引出端材料见表2。 表2 引出端材料 代 号 引出端类型 端头型式 材料 B 锡焊 包头 金属化底层、Ni 阻挡层、外层镀锡 对于B 型引出端，其金属阻挡层应为镍，该层金属厚度至少应为1.3μm。 3.3 额定功耗 70℃(额定温度) 的额定功耗见表3，当环境温度超过70℃时，应按图2