磁控溅射镀膜技术1讲课教案.pptVIP

磁控溅射镀膜技术的基本概念与应用 （学习班讲稿）;一、引言;1、溅射镀膜技术是真空镀膜技术中应用最广的正在不断发展的技术之一;2、发展概况（1）;2、发展概况（2）;2、发展概况（3）;2、发展概况（4）;3、国内发展情况; 1996年沈阳真空技术研究所研制出大型ITO磁控溅射镀膜镀膜系统 1997年豪威公司开展中频双靶反应溅射制备二氧化硅膜工艺与设备研究。 1999年豪威公司与清华大学合作在国际上首次研制成功中频双靶反应溅射制备二氧化硅膜与氧化铟锡膜在线联镀装置投入生产。 1999年北京仪器厂设计中频反应磁控溅射双靶 ; 2000年和2001年豪威公司先后研制出两条新的大型中频双靶反应溅射制备二氧化硅膜与氧化铟锡膜在线联镀装置并投入生产. 2002年豪威公司在国内首次引进PEM控制系统,自行安装调试,成功的应用于多层光学膜的研发工作中.;;;二、气体放电某些特性在一般的溅射装置中，在真空室内辉光放电形成并加速正离子，应熟悉气体放的某些电特性1、辉光放电巴刑曲线--绝缘间隙的选取 放电气体压力P与电极之间距离d的乘积p.d对辉光放电压U的影响，相对应的曲线称巴刑曲线，该曲线所展示的规律称巴刑定律;;溅射镀膜中放电气体压力通常选P=1x10-2至5x10-4Torr，工作点选在左半支曲线，对于相邻的相互绝缘的两个导体，要求有足够高的耐击穿电压U，相互之间距离不宜太