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检验棒磷、硼含量的计算 广州市昆德科技有限公司 摘录 硅多晶气氛区熔磷检验方法（有效范围0.02~20ppb） 试样直径10~40mm，长度 70~200mm，优级纯酸腐蚀， ρ＞10MΩ 纯水清洗。 籽晶ρ＞300 N 型〈111〉硅单晶 气氛：氢、氩或氢氩混合，露点低于-45℃。氧含量小于5ppm 区熔次数：1~2次成单晶 区熔速度：提纯 6~8mm/min 成晶3~5mm/min 熔区高度、行程：熔区高度等于检验棒直径。行程大于10个熔区。 检验棒尺寸：直径12 2mm 长区大于10个熔区 取从第一熔区起到检验棒长的80%处电阻率为 未扣除基硼补偿的检磷电阻率值。 复验：若检验结果的棒料测试为P型、混合型、 电阻率分布很不正常或区熔检验过程中有放花、 打火等现象。 硅多晶真空区熔基硼检验方法 （测量杂质浓度有效范围0.02~20ppb ） 试样直径：10~40mm；长度：70~200mm， 优级纯酸腐蚀， ρ＞10MΩ纯水清洗。 籽晶ρ＞2600 Ω·m P 型〈111〉硅单晶 真空度 1×10-4~10-6mmHg 先快速拉细一次，以后速度为1.0mm/min, 13次以上；或0.5mm/min，6次以上。 检验棒尺寸：直径10 2mm; 整个棒全部成P型单晶，取第一熔区起到检验棒长的60%处电阻率值为硅多晶的基硼电阻率值。 根据基硼电阻率 查GB/T13389待到硼浓度。 根据基磷电阻率 查出磷浓度 ，实际磷浓度应为 求得扣除硼NB补偿后的磷浓度NP即可查出扣除硼补偿后的基磷电阻率 多晶硅的部颁布法检验 检验多晶硅中的基磷含量，如避免磷的挥发一般在惰性气氛保护下提纯2-4次，多 晶棒全是N型，在离始端（即第一熔区）的棒长的80-85%的地方测得的电阻率对应的杂质 浓度就是在消除硼对磷的补偿的杂质磷的浓度。 检验多晶硅中的基硼含量，在高真空下提纯10-20次，使施主之杂质挥发出去而硼不挥 发，使检验的棒为P型（至少80%的长度为P型）在离始端的棒长的60-65%处所测得的电阻 率对应的杂质浓度就是基硼含量，忽略残留磷对硼的补偿。 多晶的两点法检验 根据检验棒型号分布情况，取不同公式计算ρB、ρP。算出的ρP不用修 正，ρB需修正为ρB X δ，δ根据ρB值查表得到。 情况Ⅰ，x1、x2处均为N型。 情况Ⅱ，x1处为P型，x2处 为N型。 情况Ⅲ ，P-N结。 当第四熔区后，硅棒出现P-N结，还可用下述方式计算。 由P-N结位置x1计算x1/L值，L为熔区等效高度, L=h/2.5 , h为熔区视在高度，并由x1/L值由表查出对应α值，电阻率转 换为载流子浓度： 磷 硼 基磷基硼的简易计算方法 1.1假设检硼棒的电阻率测量值（60%处测量）：ρ=700Ω.cm， 查表1 掺硼硅单晶掺杂剂浓度对电阻率的换算表 得 1.2对应硼的实际浓度： 1.9X1013/cm3X1.2（经验值）=2.28X1013/cm3≈2.3X1013/cm3 查表3 掺硼硅单晶电阻率对掺杂剂浓度的换算表 得 所以基硼电阻率ρ硼=570Ω.cm 注：1.2为各单位的经验值 （假设20%的硼被补偿了，实际应加回被残存磷补偿的硼含量） 说明：7.0E-02=7.0X10-2 7.0E02=7.0X102 2.1假设检磷棒的电阻率测量值（80%处测量）：ρ=50Ω.cm， 查表2 掺磷硅单晶掺杂剂浓度对电阻率的换算表 得 2.2对应磷的实际浓度： 8.64X1013/cm3+2.28X1013/cm3(加回硼的浓度含量)=10.9X1013/cm3 =1.09X1014/cm3 1.09X1014/cm3≈1.1X1014/cm3 2.3扣除补偿后的电阻率： 查表4：掺磷硅单晶电阻率对掺杂剂浓度的换算表 得 所以基磷电阻率ρ磷=39Ω.cm 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒 1、对制样多晶硅要求无裂纹、高应力或深度柱状生长，否则会破裂 或裂开，样芯直径φ20mm,长度100mm 。 2、对试剂、环境、器皿的洁净有细致的提示。 3、区熔炉保持洁净非常重要。 4、区熔条件、过程也会影响结果。 5、在氩气氛下要求将样芯经一次区熔拉制成单晶。 6、籽晶要求：φ3~5mm 晶向〈111〉，晶偏要求〈0.5°，无错位高纯 区熔单晶。受主和施主含量小于0.05pp