第3章通信用光器件-1.pptVIP

第 3 章 通信用光器件 3.1 光源 光纤通信系统对光源的要求 1、合适的发光波长 2、足够的输出功率 3、可靠性高，寿命长 4、输出效率高 5、光谱宽度窄 6、聚光性好 7、调制方便 8、价格低廉 DH激光器工作原理 由于限制层的带隙比有源层宽，施加正向偏压后， P层的空穴和N层的电子注入有源层。 P层带隙宽，导带的能态比有源层高，对注入电子形成了势垒，注入到有源层的电子不可能扩散到P层。 同理， 注入到有源层的空穴也不可能扩散到N层。 这样，注入到有源层的电子和空穴被限制在厚0.1~0.3 μm的有源层内形成粒子数反转分布，这时只要很小的外加电流，就可以使电子和空穴浓度增大而提高效益。 另一方面，有源层的折射率比限制层高，产生的激光被限制在有源区内，因而电/光转换效率很高，输出激光的阈值电流很低，很小的散热体就可以在室温连续工作。  2. 激光束的空间分布 激光束的空间分布用近场和远场来描述。 近场是指激光器输出反射镜面上的光强分布； 远场是指离反射镜面一定距离处的光强分布。 图3.8是GaAlAs-DH激光器的近场图和远场图，近场和远场是由谐振腔(有源区)的横向尺寸，即平行于PN结平面的宽度w和垂直于结平面的厚度t所决定，并称为激光器的横模。 由图3.8可以看出，平行于结平面的谐振腔宽度w由宽变窄，场图呈现出由多横模变为单横模；垂直于结平面的谐振腔厚度t很薄，这个方向的场图总是单横模。 图 3.8 GaAlAs-DH条形激光器的近场和远场图样 3.-9典型半导体激光器的远场辐射特性和远场图样 (a) 光强的角分布； (b) 辐射光束 图3.9为典型半导体激光器的远场辐射特性，图中θ‖和θ⊥分别为平行于结平面和垂直于结平面的辐射角，整个光束的横截面呈椭圆形。 3. 转换效率和输出光功率特性 激光器的电/光转换效率用外微分量子效率ηd表示，其定义是在阈值电流以上，每对复合载流子产生的光子数 (3.7a) 由此得到 (3.7b) 式中，P和I分别为激光器的输出光功率和驱动电流，Pth 和Ith 分别为相应的阈值，h f 和e分别为光子能量和电子电荷。 图3.10是典型激光器的光功率特性曲线。 当IIth 时激光器发出的是自发辐射光； 当IIth 时，发出的是受激辐射光，光功率随驱动电流的增加而增加。 图 3.10 典型半导体激光器的光功率特性 (a) 短波长AlGaAs/GaAs (b) 长波长InGaAsP/InP 4. 频率特性 在直接光强调制下， 激光器输出光功率P和调制频率f 的关系为 P(f)= (3.8a) (3.8b) 式中， 和ξ分别称为弛豫频率和阻尼因子，Ith 和I0分别为阈值电流和偏置电流；I′是零增益电流，高掺杂浓度的LD， I′=0， 低掺杂浓度的LD, I′=(0.7~0.8)Ith；τsp为有源区内的电子寿命，τph为谐振腔内的光子寿命。 图 3.11 半导体激光器的直接调制频率特性 图3.11示出半导体激光器的直接调制频率特性。弛豫频率fr 是调制频率的上限，一般激光器的fr 为1~2 GHz。在接近fr 处，数字调制要产生弛豫振荡，模拟调制要产生非线性失真。 Ith=I0 exp (3.9) 5. 温度特性 对于线性良好的激光器，输出光功率特性如式(3.7b)和图3.10所示。 激光器输出光功率随温度而变化有两个原因（1）激光器的阈值电流Ith 随温度升高而增大（2）外微分量子效率ηd随温度升高而减小。 温度升高时，Ith 增大，ηd减小， 输出光功率明显下降，达到一定温度时，激光器就不激射了。当以直流电流驱动激光器时，阈值电流随温度的变化更加严重。当对激光器进行脉冲调制时，阈值电流随温度呈指数变化，在一定温度范围内，可以表示为 式中，I0为常数，T为结区的热力学温度，T0为激光器材料的特征温度。 GaAlAs –GaAs 激光器T0=100~150 K InGaAsP-InP 激光器T0=40~