半导体物理知识.ppt

运用上述理论分析实验结果： 1)B沿[111]方向，六个方向的夹角余弦只有一个相同值，有效质量 只有一个取值； 2) B沿[110]方向，六个方向的夹角余弦有二个值0和1/2。有效质量有2个值； 3) B沿[100]方向，六个方向的夹角余弦有二个值0和1。有效质量有2个值； 4)任意方向，六个方向的夹角余弦有三个值，有效质量有3个值。 硅的三维等能面见图24a，锗和硅的晶格常数不同，三维等能面也不同。在111方向的简约布里渊区的八个面上，见图24a。 作业 P33：习题3 和 4。 第二章半导体中杂质和缺陷能级 半导体偏离理想的情况： 2)含杂质，不纯净 1)在平衡位置附近振动，不静止在格点上 3)存在缺陷(点、线、面) 主要讨论杂质和缺陷： 杂质的影响：105个硅原子中有一个杂质硼原子，室温电导率增加103个数量级。 缺陷的影响：硅平面器件要求位错密度控制在103cm2以下。 原因1.破坏了周期性势场； 2.在禁带中引入了杂质能级。 2.1硅、锗晶体中的杂质能级 1.替位式杂质 间隙式杂质 杂质来源：原料、工艺、人为掺入。 杂质存在位置：金刚石晶体中，原子占全部的34%，空隙占66%。 空隙---间隙位置，如金刚石原胞中央的位置T和三个面心、三个体心原子的中央H。 存在方式：间隙式杂质，间隙原子存在于间隙位置(小原子) 替位式杂质，杂质原子替换晶体原子(人为掺入)，原子大小相近。 杂质含量：用杂质浓度表示，单位 cm-3。 半 导 体 物 理 学 刘恩科等 国防工业出版社 参考书目： 1. 《半导体物理学》作者: 李名復??页数:376??科学出版社，出版日期:1991年2月第1版?(凝聚态物理学丛书). 2.《半导体物理学》作者:果玉忱??页数:271??国防工业出版社，出版日期:1988年12月第1版?? 3.《半导体物理学（上册）》作者:叶良修??页数:511??高等教育出版社，出版日期:1987年11月第2版? 4.《高等学校教学参考书 半导体物理学》作者:刘文明??页数:627??吉林科学技术出版社,出版日期:1986年第1版? 5．《半导体物理学》 孟宪章,康昌鹤编，吉林大学出版社, 1993.12 6.《半导体物理学》顾祖毅等著，北京 : 电子工业出版社 1995 简 介 普通物理学、统计物理学、量子力学 固体物理学 半导体物理学 、 电介质物理学 电场的作用： 产生电流 产生电荷感应 应用范围 半导体器件、IC器件等电荷运动的机理。 半导体材料、陶瓷(半导化)材料的导电机理。 新型有机材料及其复合材料的机理分析。 各种发光材料的电荷运动机理。 课程概括 单晶材料中的电子状态及运动规律 处于热电平衡时： 晶体材料的结构与能带--? 第一章 杂质和缺陷---? 第二章 电子运动状态---? 第三章* 运动规律---? 第四章* 非电学平衡---? 第五章* 器件工作机理---? 第六章 第一章 半导体中的电子状态 研究方法：假设(近似)、理论、验证 已经了解：单个原子的电子结构 不了解：多个原子排列在一起出现的问题。电子 – 原子、电子 - 电子的相互作用以及原子- 原子排列形成的势场等多体问题。 简单化：忽略电子 - 电子的相互作用，价电子在平均势场中运动，原子固定不动: “单电子近似” 。 (Hi-i, H e-e)分别消除。 研究一个电子在周期性势场中的状态(单电子近似-平均势场-能带论) 1.1 半导体的晶格结构和结合性质 1 金刚石型结构和共价鍵 许多材料的结构与金刚石相同，故称之为金刚石型结构。 这些材料的第IV族的 C(碳)、Si(硅)、Ge(锗)、Sn(锡)，而Si和Ge均是重要的半导体材料。 特点：1.金刚石型结构为两个面心立方的套构。一个基元有两个原子，相距为对角线长度的1/4，n=2。因此，晶格的格波有3n支离子振动格波，3个声学波和3n-3个光学波。 正四面体：顶角、中心有原子 电子云密度大-?共价鍵-?配位数 结 构 分 析 2.任何一个原子的最近邻均有4个原子。例如，离0点对角线1/4处的原子的最近邻原子为0点原子和三个面心原子，它们形成了一个正四面体。共价鍵。 3.每个原子的最外层价电子为一个s态电子和三个p态电子。在与相邻的四个原子结合时，四个共用电子对完全等价，难以区分出s与p态电子，因而人们提出了“杂化轨道”的概念：一个s和三个p轨道形成了能量相同的sp3杂化轨道。 原 胞 (a):构成了固体物理学原胞，基矢有两个原子。 (b):每个实心的原子有四个相邻的空心原子(反之成立)，每个相邻的连线方向可以形成一个四面体。故一个原子成为了四个四面体的顶角。 (c):结晶学原胞 固体物