电工电子第十九讲.pptVIP

* * * * * * * * 交流放大电路 电工电子技术 第十八讲 半导体三极管 基本结构 N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 B E C B E C PNP型 P P N 基极 发射极 集电极 符号： B E C IB IE IC B E C IB IE IC NPN型三极管 PNP型三极管 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 B E C N N P EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB EC RC IC UCE C E B UBE 共发射极接法放大电路 三极管的电流控制作用 三极管具有电流控 制作用的外部条件 : （1）发射结正向偏置； （2）集电结反向偏置。 对于NPN型三极管应满足: UBE 0 UBC 0 即 VC VB VE 对于PNP型三极管应满足: UEB 0 UCB 0 即 VC VB VE 输出 回路 输入 回路 公 共 端 EB RB IB 2. 各电极电流关系及电流放大作用 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.80 1.60 2.35 3.20 3.95 0.001 0.82 1.64 2.41 3.28 4.05 结论: 1）三电极电流关系 IE = IB + IC 2） IC ?? IB ， IC ? IE 3） ? IC ?? ? IB，且? IC ≈β? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是CCCS器件。 E C B 符号 发射区向基区 扩散电子 IE IB 电子在基区 扩散与复合 集电区收集电子 电子流向电源正极形成 IC IC N P N 电源负极向发射 区补充电子形成 发射极电流IE 三极管的电流控制原理 EB正极拉走电 子，补充被复 合的空穴，形 成 IB VCC RC VBB RB 由于基区很薄，掺杂浓度又很小，电子在基区扩散的数量远远大于复合的数量。所以： (1) IC IB 同样有: ? IC ? IB 所以说三极管具有电流控制作用,也称之为电流放大作用。 (2) 当基极电路由于外加电压或电阻改变而引起IB的微小变化时，必定使IC发生较大的变化。即三极管的基极电流对集电极电流具有控制作用 IB UBE 0 UCE ≥ 1V 死 区 1. 三极管的输入特性 IB = f (UBE ) UC E = 常数 三极管的特性曲线 EC IC UCE C E B UBE EB RB IB 导通电压 硅管约为0.5V，锗管约为0.1V IB =40μA IB =60μA UCE 0 IC IB增加 IB 减小 IB = 20μA IB = 常数 IC = f (UCE ) 2. 三极管的输出特性 EC RC IC UCE C E B UBE EB RB IB A IC / mA UCE /V 0 放 大 区 三极管输出特性上的三个工作区 IB= 0 μA 20μA 40 μA 截止区 饱和区 60 μA 80 μA 三极管的主要参数 1. 电流放大系数 (1) 直流电流放大系数 (2) 交流电流放大系数 ? = ? IC ? IB 2. 穿透电流 ICEO 3. 集电极最大允许电流 ICM 4. 集--射反相击穿电压 U(BR)CEO 5. 集电极最大允许耗散功率 PCM 极限参数 使用时不允许超过! ? = IC IB 0 IB= 0 μA 20μA 40 μA 60 μA 80 μA 由三极管的极限参数确定安全工作区 安 全 工 作 区 过 损 耗 区 PCM曲线 IC / mA UCE /V ICEO ICM U(BR)CEO 60μA 0 20μA