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第50卷 第 1期 哈 尔 滨 工 业 大 学 学 报 Vol50 No1
20 18年1月 JOURNAL OF HARBIN INSTITUTE OF TECHNOLOGY Jan. 2018
DOI:10.11918/ j.issn.0367⁃6234.201705160
化学机械研抛过程流体和磨粒分布特性仿真
翟文杰,王翱翔
(哈尔滨工业大学 机电工程学院,哈尔滨 150001)
摘 要:为深入理解化学机械抛光过程中的摩擦磨损机理,仿真研究了不同工况对抛光作用的影响规律. 建立考虑多相流和
离散相的三维CFD模型,研究不同工况下晶片和抛光垫间抛光液的速度和压力分布以及抛光磨粒的分布规律. 结果表明:膜
厚越小,抛光垫和晶片的转速越大,磨粒的分布密度越小. 对流体速度和压力分布规律以及磨粒分布特性进行仿真分析,研究
抛光过程中磨粒对晶片表面的动压作用过程. 用疲劳断裂能量守恒理论,建立可定量分析各种工况下材料去除率的预测模
型,采用Matlab软件对去除率模型进行仿真计算,得到不同工况下碳化硅晶片的去除率曲线. 结果表明,抛光垫转速越大,膜
厚越小,材料去除率越大,但去除率随着抛光的进行呈现减小的趋势. 相比抛光垫转速对去除率的影响,膜厚对去除率的影响
较小.
关键词:化学机械抛光;CFD仿真;膜厚;磨粒分布;材料去除率
- - -
中图分类号:TU375.2 文献标志码:A 文章编号:0367 6234(2018)01 0029 07
Modeling and simulation for the distribution of fluid and slurry particles
in chemical mechanical polishing
ZHAI Wenjie ,WANG Aoxiang
(School of Mechatronics Engineering,Harbin Institute of Technology,Harbin 150001,China)
Abstract:To fully understand the friction and wear mechanism of chemical mechanical polishing process,the
effects of different processing conditions on the polishing process were simulated. Three⁃dimensional CFD model
considering multiphase flow and discrete phase was established to obtain the speed and pressure distribution of the
polishing liquid aswell as that of the polishing abrasive particles between wafer and polishing pad under different
processing conditions. It isfound that the abrasive particle distribution density is smallerwhen thefilm thicknessis
smaller,and the greater the s
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