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第六章 光波在介质波导中的传播 波导的场方程及其解 TE波 对TE波应先求出Ey，由TE波的振动在波导的横截面上，即仅具Ey 可写出其电场矢量为 分量，并考虑到在z方向的传播，具有传播因子 为y方向单位矢量。 其中 将上式代入亥姆霍兹方程，可得 式中，角标 表示对应于介质波导的三层介质，其对应的折射率 分别为 为不同介质中的波数，它们的关系可表示为 或 于是可写出在三层介质中的亥姆霍兹方程 其振幅应可预见：在中间薄膜层是驻波解，可用余弦函数表示；在衬底 按前面的分析我们已知，导波在z方向按 传播。而在横向， 于是有 及覆盖层是倏逝波，应是衰减解。 将上式各区域中Ey的表达式代入对应的各亥姆霍兹方程，可得 由于 都必须是正实数，这就限定 这与用射线得出的结果是一致的。射线法中由 及 得 由 为临界角， 可得 此处约定 下面再利用边界条件进一步求解常数 薄膜波导的边界条件为：在 处，切向分量 连续， 切向分量 也连续，由此得 也连续。 可得： 在 即 处， 在 连续，即 处， 得 这样可得 在 连续，即 处， 在 连续，即 处， 因此，只要求出 就可求出其他各量。 A1可以由输入波导的导波功率确定。 通过以上耦合方程组可以得到 参照S波在Ⅰ、Ⅱ界面上全反射相位跃变的公式，并考虑到 及 可知上式左边的后两项 正是S波的相位跃变之半，因此上式可写为 或 这就是薄膜波导特征方程。 波导的场方程及其解 TM波（略） 对于TM波，应先求出 TM模的电磁分量为 其做法完全类似于TE波求解。写出磁场矢量为 代入以下的亥姆霍兹方程， 得到 依照TE模推导，设在三层介质中具有如下不同形式，即 的解为 考虑到薄膜波导的边界条件：在上、下界面上 及 连续， 在下界面 处 以及 处 即 连续，得 即 在上界面 处， 且在 处有 连续，得 以下推到完全类似于TE波，导出的 表达式及场分布与TE模形式 相同，其特征方程也有相同的形式 只不过式中 与 表达式应当取作P波的全反射时的相位跃变表达式。 因此，波指数相同的TE模和TM模的 是不同的，从而求解出波的 参数也不同。 另外，从TE波（或TM波）求解过程中也可以看出，上式中的 正是界面上Ⅱ的相位跃变半角 它是决定场分布极大值位置的参量。 图解法求解特征方程 薄膜波导特征方程 只能通过图解法或数值法求解。 以TE模为例，上式可改写为 式中 为中间层折射率， 及 分别为基底及覆盖层折射率。 利用三角公式 可得， 为将上式右端化为 的函数 可以利用以下关系式 可得， 因此，特征方程的解就是由 与 的交点，如图 与 实线 的交点。 从左到右各交点（原点除外）相应于 各阶模的解， 的值，若薄膜厚度 从这些交点的横坐标确定出 已知， 则通过 求得 模的传播常数 截止波长 导波的截止波长也可从电磁场解法中导出。从射线法观点看，出现 衬底辐射模的标志是 而从电磁理论的观点看，出现衬底辐射模 意味着 为虚数，此时 由原来的振幅沿x方向衰减的倏逝波变为由 代表的辐射波，即在 介质中有向x方向传播的行波存在，这时能 得 量从 泄漏，此波便无法在薄膜波导中传播，因此 就是确定 截止波长的条件。由 可见，截止时传播常数等于介质2中的波数。于是有 可以得到 将以上二式代入特征方程，并考虑到 可得截止波长 这与用射线法求出的结果完全一致。 以TE波为例，薄膜波导中TE波的 分量为 以及薄膜波导中的特征方程 可以求出，它们是小于零的数。 4. 介质薄膜波导中的场分布 对于TE0模 可知 可见，横跨薄膜的相位变化 即场沿x方向的变化不足半个驻波。 由以上公式可以得到 按边界条件： 处， 处， （3）中间层中，场变化极大值在 处，即满足 故有 且由 可知在界面Ⅰ上的相位移动 大于下界面的相移 即 代入上式 这意味着场分布的极大值（波腹）偏向衬底。 （4）由 及 且 可知 这表示场在覆盖层中衰减得比在下衬底中快。 由以上四点，可以画出 模在波导截面上场分布情况，如图所示。 中间层场在x向变化不足两个“半驻波”，阶数m越大，在覆盖层及衬底 类似地还可以导出 模场分布特征，如对 波， 中振幅衰减越缓慢，即能量在 和 二介质中延伸部分越多，能量 越分散。 * 1. 薄膜介质波导一般概念 介质薄膜波导 如图，均匀介质薄膜波导的的纵向剖面，由三层均匀介质构成。 一般地设定 即衬底及覆盖敷层。 中层折射率为 厚度为 另外两层折射率分别为 为限制光波于介质中间传导层中，应使 薄膜波导的横向宽度（y向）一般比薄膜波导的厚度大得多，也比光波波长大得多，因此可以认为薄膜波导是无限宽，光波在y方向上不受限制。 下面用射线法和波动理论法来分析薄膜波导。 射线法是把波导中的波看作是均匀平面波