能带理论四教学课件.ppt

通过软 X 射线发射测量得出的金属费米能（参照上面曲线） 金属发射谱的特征是在高能端出现突然的强度降落，发射边和费米能的位置相对应，E EF后，态密度 N(E)急降至零。在谱的低端，强度的下降相当于N(E)逐渐下降至零的情形。强度谱的形状还受多种因素影响，但发射谱的宽度应与费米能值相当。如果与自由电子费米能计算值比照还可估算出m*。 说明：在第 5，6 章的讨论中，我们已经看到求得态密度函 数 N(E) 的重要性和困难性，要从理论上求出晶体的 N(E)， 必须先给出晶体的能谱 En(k) 表达式，一般说来，这是比较 困难的（只有自由电子近似下，才有简明的表达式），即便 是得到了， 由于 En(k)函数的复杂性也会给求解 N(E)带来不 少数学上的困难，因此，从实验上来测定实际材料态密度函 数就变得十分重要，软 X 射线发射谱是最常用的实验之一。 此外，X射线的吸收谱——电子从低能级向未被占据态 的激发所致——也常被用来测量未被占据态的能态密度。 二. 光吸收与磁光吸收 紫外光技术测定能带结构原理图如下所示：当光束射到金属上时，电子从费米能级以下跃迁到较高的一个能带，这种带间吸收可以用光学方法来观察，并获得能带形状的信息。 因为结果涉及到两个能带，所以但只能先知道一个能带的形状，才能探知另一个能带情况。大多数金属的吸收频率位于紫外区。 见Omar 书p270 光学区段的光子能量仅足以激发同一能带中占据态与非占据 态之间的跃迁（带内跃迁）或者相邻能带之间的跃迁（价带与导 带之间的带间跃迁），在这一能谱区中（10-5cm～10-3cm）,绝缘 体和半导体的吸收性质与金属的完全不同，可以直接得出价带与 导带间能隙大小的信息，入射波能量只有达到最小的能隙值时， 价带的电子才能被激发到导带中去，故绝缘体和半导体的强吸收 从 开始，这个最小能量值由能隙宽度给出： 对应的波长称作基本吸收的吸收边 。实际情况中影响光吸 收的因素是复杂的，给出的能带信息需要仔细分析。GaAs 的情 况较简单，吸收主要决定于直接跃迁，吸收边很陡，其位置相当 于价带和导带之间的能差，见下页图。 给出禁带宽度 前面已经提到利用回旋共振能够测定有效质量的张量分 量，因而能够确定相应能量曲面的曲率，这样我们就可以得 知费米面的形状或者得知对应于价带顶或导电底等能面的情 况。在回旋共振的测量中除去必须满足 外，还必须考 虑到交变电场穿入样品的程度，计算表明只有载流子数目较 少的半导体样品，这个条件才容易满足。Si,Ge的回旋共振有 明显的方向性，说明相应的能量曲面不是球形。通过仔细分 析给出了它们导电电子的能量曲面形状。 三. 回旋共振与Azbel-Kaner 共振 趋肤深度 经典回旋共振的安排下，金属电阻率低，射频信号不能透入样品太深，致使共振现象难以观察， 一种可以用于测量金属回旋共振的方法称作 Azbel-Kaner 共振，沿着金属表面加上磁场和交变电场，电子以周期 做回旋运动，频率为ω的反时针方向圆偏振交变电磁场沿金属表面传播，只能穿透很小的范围，其值等于趋肤深度，但电子的回 旋运动是超过这个深度的，因此共振条件变为： 这里 实际测量中是维持ω不变，而改变磁场强度以满足上式。 测得Cu的AKCR谱见下图。 这种方法不仅可以用来测出ωc,从而算出有效质量 m*， 还可以用来确定费米面的形状，因为电子在费米面的不同区 域具有不同的回旋频率，最强的效应发生在与磁场垂直的FS 的极值截面——即最大和最小截面。因此改变磁场取向，测 得各个方向的极值截面即可绘出费米面的形状。 和普通回旋共振一样，也需要低温强磁场和高纯样品， 以保证满足 的条件，在这种极限条件下，电子 在一次碰撞时间内，完成了多次回旋，可以得到一个尖锐的 具有高分辨率的共振。 五. 磁声技术和其它： 利用晶格振动和布里渊区、乃至和费米面的关系发 展起来磁声技术，尤其是几何共振已经成为测量费米面 大小的重要方法，它的最大特点是能够测量在 k 空间任 何方向的 kF数值，这是其它方法很难做到的。 正电子湮灭技术也是研究金属及合金费米面的有力 工具。更扩展一些说：凡是已经确切知道和费米面关系 的物理性质，都可以用来测量费米面的性质。 四. 反常趋肤效应： ( 见Busch 书p258) * 测量了很多金属的霍尔系数，和自由电子论预计的理论 计算值相符，但也有一些金属霍尔系数理论和实验值不符 （见下页表），甚至符号也相反，存在正电荷导电的判断已 在能带论中得到解释。从公式不难看出，载