江苏理工学院电力电子期末试题之分析.docVIP

电力电子技术问答分析题 0100003、晶闸管触发的触发脉冲要满足哪几项基本要求？ ①触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通②触发脉冲应有足够的幅度、③触发脉冲应不超过晶闸管门极的电压、电流和功率定额和 ④ 应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离 。 0100004、试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。（12分） 解：对IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较如下表： 器 件 优 点 缺 点 IGBT 开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小 开关速度低于电力MOSFET,电压，电流容量不及GTO GTR 耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低 开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题 GTO 电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强 电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低 电 力 MOSFET 开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题 电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 （3A）（4B）0100004、为使晶闸管变流装置正常工作，触发电路必须满足什么要求？ 答：1）触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通2）触发脉冲应有足够的幅度3）触发脉冲应不超过晶闸管门极的电压、电流和功率定额4）应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离。 （4B）0100003、过电压与过电流产生的原因是什么？简述他们的保护措施（各举两种即可）。 答：过电压产生的原因有外因过电压和内因过电压两种，其中外因过电压主要有：操作过电压和雷击过电压，内因过电压主要有：换相过电压和关断过电压。 保护措施有：RC过电压抑制电路，反向阻断式RC电路，雪崩二极管，金属氧化物压敏电阻，硒堆和转折二极管等 过电流产生的原因主要是过载和短路。 保护措施有：快速熔断器，直流快速熔断器，过电流继电器，电子电路等。 （1A、）0100002、读出下列图形符号的名称并标出管脚符号。 答：AK 二极管 晶闸管 GTO GTR MOSFETIGBT （5A）0100002、画出下列半导体器件的图形符号并标明管脚代号。 ①普通二极管；②普通晶闸管；③可关断晶闸管；④功率晶体管；⑤功率场效应晶体管；⑥绝缘栅双极晶体管。 答：AK 二极管 晶闸管GTO GTR MOSFET IGBT （1A）（4B）0100003、简述晶闸管导通的条件与关断条件。（7分） 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK0且uGK0。 要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 （3B）0100003、 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK0且uGK0。 （2B）0100003、维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 （1B）（5B）0100003、将控制电路、检测电路、驱动电路、主电路填入以下框图中，组成一个电力电子应用系统。（6分） 答： （1A）（1B）（5B）0200003、某一晶闸管，额定电压为300V，额定电流为100A，维持电流为4mA，使用在下图所示的各电路中是否合理?说明其理由。(不考虑电压、电流裕量)（8分） 答：（a）因为，所以不合理。 (b) 因为, KP100的电流额定值为100Ａ，裕量达５倍，太大了。 （c）因为，大于额定值，所以不合理。 0200003、单相桥式半控整流电路,电阻性负载,画出整流二极管在一周内承受的电压波形。 解:注意到二极管的特点:承受电压为正即导通。因此,二极管承受的电压不会出现正的部分。在电路中器件均不导通的阶段,交流电源电压由晶闸管平衡。整流二极管在一周内承受的电压波形如下: （3A）（5A）0200003、在三相半波整流电路中,如果a相的触发脉冲消失,试绘出在电