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第5章 双极型晶体管及相关器件 半导体器件物理 第5章 双极型晶体管及相关器件 半导体器件物理 Semiconductor Physics and Devices 第5章 双极型晶体管及相关器件 * 本章内容 第5章 双极型晶体管及相关器件 * 双极型器件：电子与空穴皆参与导通，由两个相邻的互作用的p-n结组成，其结构可为p-n-p或n-p-n。 右图为p-n-p双极型晶体管透视图，制造过程：利用掺杂工艺在p型衬底上形成一n型区域，再在此n型区域上掺杂形成一高浓度p＋型区域，接着以金属覆盖p＋、n以及下方的p型区域形成欧姆接触。 5.1 晶体管的工作原理 第5章 双极型晶体管及相关器件 * 图（a）理想一维结构p-n-p双极型晶体管，具有三段不同掺杂浓度的区域，形成两个p-n结： 浓度最高p＋区为发射区（E）； 中间较窄n型区，杂质浓度中等，为基区（B），基区宽度需远小于少子扩散长度； 浓度最小p区为集电区（C）。 图（b）为p-n-p双极型晶体管的电路符号： 晶体管一般工作模式（放大模式）下各电流方向和电压极性； 该模式下，射基结正偏（VEB0），而集基结反偏（VCB0）。 （a）理想一维p-n-p双极型晶体管 （b）p-n-p双极型晶体管的电路符号 第5章 双极型晶体管及相关器件 * n-p-n双极型晶体管的结构与p-n-p双极型晶体管是互补的。 图（c）、图（d）分别是理想n-p-n晶体管的结构与电路符号。将p-n-p双极型晶体管结构中的p换成n、n换成p，即为n-p-n双极型晶体管的结构，因此电流方向与电压极性也都相反。 （c）理想一维n-p-n双极型晶体管 （d）n-p-n双极型晶体管的电路符号 第5章 双极型晶体管及相关器件 * 图（a）热平衡下理想p-n-p双极型晶体管，三端点等电位，阴影区域分别表示两个p-n结的耗尽区。 图（b）三段区域的空间电荷分布。发射区的掺杂浓度远比集电区大；基区的浓度比发射区低，但高于集电区浓度。 图（c）为耗尽区电场强度分布。 图（d）是晶体管能带图，将热平衡状态下的p-n结能带直接延伸，应用到两个相邻的互作用p+-n结与n-p结。 5.1.1 工作在放大模式 （a） （b） （c） （d） 第5章 双极型晶体管及相关器件 * 图（a）为工作在放大模式下的共基组态p-n-p型晶体管（输入与输出电路共用基极）。 图（b）与图（c）为放大模式下电荷密度与电场强度分布；与热平衡状态下比较，射基结的耗尽区宽度变窄，而集基结耗尽区变宽。 图（d）是晶体管工作在放大模式下的能带图，射基结为正偏，因此空穴由p+发射区注入基区，而电子由基区注入发射区。 第5章 双极型晶体管及相关器件 * 理想二极管中耗尽区不会有产生-复合电流，所以由发射区到基区的空穴与由基区到发射区的电子组成了发射极电流。而集基结反偏，因此有一反向饱和电流流过此结。 当基区宽度足够小，由发射区注入基区的空穴便能够扩散通过基区而到达集基结的耗尽区边缘，并在集基偏压的作用下到达集电区。 此种输运机制是注射载流子的“发射极”以及收集邻近结注射过来的载流子的“集电极”名称的由来。 第5章 双极型晶体管及相关器件 * 如大部分入射空穴都没与基区电子复合而到达集电极，则集电极空穴电流将非常接近发射极空穴电流。 由邻近的射基结注射过来的空穴可在反偏集基结造成大电流，此为晶体管放大作用，且只有当此两p-n结足够接近时才会发生，因此此两结被称为交互p-n结。 相反，如两p-n结距离太远，所有入射空穴将与基区电子复合而无法到达集基区，并不会产生晶体管的放大作用，此时p-n-p的结构就只是单纯两个背对背连接的p-n结二极管。 第5章 双极型晶体管及相关器件 * 右图为一理想p-n-p晶体管在放大模式下的各电流成分。设耗尽区中无产生-复合电流，则由发射区注入的空穴将构成最大的电流成分。 5.1.2 电流增益 基极电流有三个：IBB、IEn及ICn。其中，IBB代表由基极所供应、与入射空穴复合的电子电流（IBB=IEp-ICp）；IEn代表由基区注入发射区的电子电流，是不希望有的电流成分；ICn代表集电结附近因热所产生、由集电区流往基区的电子电流，发射极断路（IE=0）时集基极间的漏电流。 第5章 双极型晶体管及相关器件 * 晶体管各端点的电流可由上述各个电流成分来表示 晶体管中有一项重要参数，称为共基电流增益，定义为 因此，得到 第5章 双极型晶体管及相关器件 * 第二项称为基区输运系数，是到达集电极的空穴电流量与由发射极入射的空穴电流量的比，即 所以 上式等号右边第一项称为发射效率，是入射空穴电流与总发射极电流的比，即： 设计良好的晶体管，IEnIEp，且ICp与IE