第七章 半导体存储器课件.ppt

第七章 半导体存储器 * 半导体存储器是一种能存储大量数据或信息的半导体器件。 由于要求存储的数据量往往很大，而器件的引脚数目不可能无限制地增加，因而不可能将每个存储单元电路的输入和输出端都固定地各接到一个引脚上， 因此，存储器的电路结构形式与第六章里讲的寄存器不同。 半导体存储器采用了按地址存放数据的方法，只有那些被输入地址代码指定的单元才能与输入/输出端接通，可以对这些被指定的单元进行读/写操作，而输入/输出端是公用的。 7.1 概述 复习 * 3线-8线译码器 存储单元 8选1数据选择器 * 7.1 概述 一、一般结构形式 因此，存储器的电路结构必须包含地址译码器、存储矩阵和输入/输出电路这三个组成部分。 输入/出电路 I/O 输入/出 控制 * 二、分类 1、从存/取功能分： ①只读存储器 (Read-Only-Memory） ②随机读/写 （Random-Access-Memory） 2、从工艺分： ①双极型 ②MOS型 7.1 概述 * 7.2 只读存储器(ROM) 7.2.1 掩模ROM (Read-Only-Memory) 一、结构 采用掩模工艺制作ROM时，其存储的数据是由制作过程中使用的掩模板决定的，数据是“固化”在里边。 将输入地址代码译成相应控制信号； 利用控制信号从存储矩阵中选取数据 提高存储器的带负载能力； 实现对输出状态的三态控制，与总结连接等。 存储矩阵由存储单元构成； 存储单元可以用二极管或三极管、MOS管构成； 每个单元存放1位二值代码； 每一组存储单元有一个对应地址代码。 * 二、举例 7.2 只读存储器(ROM) 具有2位地址输入码、4位数据输出的ROM电路 * 地 址 数 据 A1 A0 d3 d2 d1 d0 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 1 1 0 A0~An-1 W0 W(2n-1) D0 Dm 当EN’=0时，三态门工作，d的数据输出 * 两个概念： 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0” 存储器的容量：“字数 x 位数” 4*4位 MOS管构成的存储矩阵 字线 位线 * 掩模ROM的特点： 出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产 简单，便宜，非易失性 7.2 只读存储器(ROM) * 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 写入时，要使用编程器 7.2 只读存储器(ROM) * 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 7.2 只读存储器(ROM) 另外还有一种，是用绝缘材料连接，编程时将绝缘器件击穿 * 7.2.3 可擦除的可编程ROM（EPROM） 可擦除的可编程ROM在经常需要修改ROM中内容的场合，会经常用到； 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同(叠栅注入MOS管)； 一、用紫外线擦除的PROM（UVEPROM） Ultra-violet erasable programmable read-only memory 7.2 只读存储器(ROM) * 浮置栅上未注入电荷以前，在控制栅上加入正常的高电平能够使漏一源之间产生导电沟道，SIMOS管导通。反之，在浮置栅上注入了负电荷以后，必须在控制栅上加入更高的电压才能抵消注入电荷的影响而形成导电沟道。因此在栅极加上正常的高电平信号时SIMOS管将不会导通。 * 7.2 只读存储器(ROM) 数据写入时需要使用编程器完成。 * 二、电可擦除的可编程ROM（E2PROM） 7.2 只读存储器(ROM) 为提高擦、写可靠性并保护隧道氧化层，电路中一般会加一个选通管 * E2PROM的工作原理： * 三、快闪存储器（Flash Memory） 为提高集成度，省去T2（选通管） 改用叠栅MOS管（类似SIMOS管） 7.2 只读存储器(ROM)