氧化物IZO薄膜晶体管.pptVIP

器件结构 顶栅 底栅 沟道层 No.30 target 氧气压强 4~6×10-2 Pa 绝缘层 SiO2 氧气压强 2.8×10-2 Pa 电极 Al 温度 室温 实验参数： 4. IZO-TFT的制备和性能研究 (1) IZO沟道层对器件性能的影响 IZO编号 IZO-A IZO-B IZO-C 氧分压 (10-2 Pa) 4.0 5.0 6.0 器件编号 TFT-A TFT-B TFT-C 结构 顶栅 W/L 500/100 4. IZO-TFT的制备和性能研究 TFT-A TFT-B TFT-C 4. IZO-TFT的制备和性能研究 (1) IZO沟道层对器件性能的影响 器件编号 TFT-A TFT-B TFT-C 饱和情况 × ☆☆ ☆ IDS (μA) (VGS=5V,VDS=10V) × 30 1.2 4. IZO-TFT的制备和性能研究 (1) IZO沟道层对器件性能的影响 顶栅 底栅 W / L=400μm / 40μm 4. IZO-TFT的制备和性能研究 (2) 结构对器件性能的影响 输出特性 转移特性 4. IZO-TFT的制备和性能研究 (2) 结构对器件性能的影响 输出特性 转移特性 4. IZO-TFT的制备和性能研究 (2) 结构对器件性能的影响 IDS (μA) (VGS=8V,VDS=8V) μFE (cm2V-1s-1) Ion/Ioff Vth (V) ~12A 4.08 103 0.5 ~3 0.19 103 -2.5 4. IZO-TFT的制备和性能研究 (2) 结构对器件性能的影响 顶栅 底栅 4. IZO-TFT的制备和性能研究 (2) 结构对器件性能的影响 i IZO沟道层主要影响TFT饱和情况及饱和电流大小。在氧气压强为5×10-2 Pa下制备的沟道层，TFT具有最优的输出特性曲线 ii 器件结构对性能影响明显，由于具有更加平整的 沟道层-绝缘层界面，顶栅结构TFT具有更大的场效应迁移率 4. IZO-TFT的制备和性能研究 (3) 小结 SiO2薄膜的制备及性能研究 3 IZO薄膜的制备及性能研究 2 IZO-TFT的制备及性能研究 4 结论与展望 5 研究背景和研究内容 1 结论： 室温DCMS法制备的IZO薄膜为非晶结构，表面平整，透明性优良，具有氧压调控的电阻率，可应用于TFT沟道层；直流磁控溅射金属靶制备a-IZO国内外 都未见报道 (2) 室温PPD制备了SiO2薄膜，透明性良好，εr=3.92；PPD法制备SiO2薄膜在国内外都未见报道 (3) IZO沟道层主要影响TFT饱和情况及饱和电流大小；由于薄膜表面平整度的影响，顶栅TFT具有更高的场效应迁移率；提出了器件结构对性能影响的解释 5. 结论与展望 (4) 优化实验参数，制备出了性能优良的TFT:μFE = 4.08 cm2V-1s-1 ,Vth = 0.5V。器件制备过程中使用到的掩模为自行设计 展望： (1) 尝试对器件进行退火处理，进一步改善器件性能和稳定性 (2) 采用ITO或者其他TCO薄膜作为电极，制备全透明TFT (3) 在柔性衬底上制备IZO-TFT，探讨在e-paper和柔性显示中的应用前景 5. 结论与展望 * LCD通过电压驱动，而OLED则是通过电流驱动 复旦大学硕士毕业论文答辩—— 非晶铟锌氧化物薄膜晶体管的研究 SiO2薄膜的制备及性能研究 3 IZO薄膜的制备及性能研究 2 IZO-TFT的制备及性能研究 4 结论与展望 5 研究背景 1 1. 研究背景 平板化、大型化、高清晰度 1. 研究背景 薄膜晶体管（TFT） a-Si TFT 场效应迁移率低(μFE1 cm2V-1s-1) 不透明，开口率100% 光敏性强 1. 研究背景 p-Si TFT 大面积制备困难 均匀性差 制备温度较高 1. 研究背景 沟道层 绝缘层 μFE (cm2V-1s-1) Ion/Ioff Vth (V) SnO2 PbZr0.2Ti0.8O3 5 60 -2 a-ZnO ATO 8 9×105 22.5 a-IZO SiO2 15 ~106 -5 a-IZO SiO2 4.5 105 -6.5 a-IGZO Y2O3 12 108 1.4 sc-IGZO a-AlOx 1~10 105 3 几种氧化物TFT及其性能 1. 研究背景 1. 研究背景 1. 较高的μFE和Ion/Ioff——较大的驱动电流、较快的器件响应速度 2. 溅射技术——大面积制备均匀 3. 低温制备——采用塑料基板，应用在柔性显示 氧化物TFT的特点 1. 研究背景 铟锌氧化物(in