武汉大学材料制备3薄膜的制备3PLD.pptVIP

* * * Zn1-x-yVxAlyO (x=10%; y=0.1%) no O2 * * * zinc oxide nanowire * PLD制备薄膜的缺点 与缺点的克服 PLD 优点：设备简单、能源干净 易于控制、保持成分 缺点：膜厚不均、存在颗粒 * 1、减少、减小颗粒 产生颗粒的原因： 1、激光在熔融靶材时，产生颗粒； 2、原子分子在向衬底飞行的过程中结合成颗粒； * 方法： 1、采用短波长、短脉冲的激光； 2、选择合适的激光功率密度； 3、合理放置衬底，避开颗粒飞行路径； 4、用速度过滤的方法，滤掉颗粒； 对于：1、激光在熔融靶材时，产生颗粒； * 对于：2、原子分子在向衬底飞行的过程中结合成颗粒； 方法：减少粒子碰撞结合的几率 选择适当的衬底—靶间距离； 适当的背景气压。 * 2、改善薄膜的均匀性 在充分理解激光产生的等离子体的分布和膨胀过程的基础上，合理设计激光对靶的扫描、衬底的运动，衬底与靶的距离等等相关因素。 * 论文题目 1.1、详细叙述用MBE制备GaN发光器件的方法； 1.2、设计用PLD法制备GaN的方案； 2.1、详细叙述用CVD法制备碳纳米管的方法； 2.2、设计用PLD法制备碳纳米管的方案； * * 1、Back Ground DIAGNOSTIC TECHNIQUES Emission Absorption Laser-induced fluorescence Mass spectrometry * Maxwell-Boltzmann model: vc=0 * Shifted Maxwell-Boltzmann model: Vc=constant * Gaussian distribution model * 2. DIAGNOSTIC EXPERIMENT * 图11-4 用激光透射法记录的等离子体的信号 * Intensity (a.u.) time of flight spectrum * * * 3. SHIFTED GAUSSIAN DISTRIBUTION MODEL * * 4. SIMULATION RESULTS * CENTER OF MASS VELOCITY * TEMPERATURE OF THE PLASMA * * * 5. AMORPHOUS DIAMOND FILMS graphite target glass substrate distance=2cm ArF laser room temperature in vacuum chamber * 1 cm transparent opaque optical photograph * 1 cm diamond like carbon graphite like carbon I-V curve * DIAGNOSTIC OF THE CARBON PLASMA * time of flight spectrum T=5000K Vc=12000m/s * 1 0.9 0.7 0.5 100 90 70 50 90 70 50 relative density (%) T=5000K Vc=12000m/s high energy low energy * * * * 6. VANADIUM ALUMINIUM DOPED ZnO FILMS ZnO : II-VI material semiconductor and transparent When ZnO is doped with Fe, Co, V ------------magnetism 1) BACKGROUND * VANADIUM DOPED ZnO FILMS * VANADIUM DOPED ZnO FILMS * sapphire substrate V doped ZnO target ArF laser O2 --------insulated -------no magnetism no O2----conductor ---------magnetism VANADIUM DOPED ZnO FILMS * 2. VANADIUM ALUMINIUM DOPED Z