C3N4新型聚合物光催化材料的研究.ppt

C3N4与TCNQ复合提升性能 TCNQ与C3N4产生了相互作用 促进了电荷的分离 清华大学化学系 C3N4与TCNQ复合提升性能 复合结构调低了价带位置，提升了氧化能力； 相互作用的电荷转移拓展了可见光活性范围 K离子掺杂提升C3N4的性能 Applied Catalysis B: Environmental, 164 (2015) 77 K离子掺杂不影响化学基团 清华大学化学系 K离子掺杂提升C3N4的性能 降解活性提高了3.5倍 光电流提高了5倍 K离子掺杂提升C3N4的性能 K掺杂，促进了电荷的分离，提升活性 清华大学化学系 K离子掺杂提升C3N4的性能 K掺杂结构调低了价带位置，提升了氧化能力 清华大学化学系 C3N4表面杂化提高光催化性能 J. Mater. Chem., 2012, 22, 11568 Energy Environ. Sci., 2011, 4, 2922 Adv. Funct. Mater. 2012, 22, 1518–1524 C3N4表面杂化提高光催化性能 石墨烯 聚苯胺（PANI） 共轭π分子良好的载流子传输能力 光生电子-空穴的 快速分离和迁移 增强光活性 抑制光腐蚀 可见光响应 共轭π键分子，具有HOMO和LUMO轨道, 在载流子传输方面具有良好特性；共轭π键容易和其它化学键产生相互作用，引起光电性能的变化 石墨 C60 g-C3N4 P3HT C3N4/ZnO杂化催化剂研究 Energy Environ. Sci., 2011, 4, 2922 C3N4/ZnO杂化催化剂的制备： 将C3N4分散于于100ml 甲醇溶液中，加入1g 纳米ZnO，超声30min，充分分散后， 搅拌24小时，使吸附反应充分进行。待甲醇自然挥发干后，所得固体于200?C烘12小时，研磨，备用。 表面杂化催化的制备 超声 C3N4 CH3OH 光催化活性的提高 可见光（λ450nm） C3N4杂化后紫外光催化活性是修饰前的3.5倍，也提高了矿化能力 2. C3N4表面杂化后光催化剂的响应范围拓展到可见光区 MB,10-5M TOC 紫外光λ =254nm 光电流的提高 紫外光λ =254nm 可见光（λ450nm） 杂化催化剂的紫外光光电流响应值约是ZnO电极5倍，C3N4的10倍 2.杂化催化剂的响应拓展到可见光区 3. C3N4的杂化可有效提高电荷分离效率 光腐蚀的抑制 ZnO发生了严重的光腐蚀 C3N4 /ZnO具有良好的光稳定性 紫外光λ =254nm，光强：0.8 mW/cm2 MB,10-5M g-C3N4 纳米片C/N基本不变 g-C3N4 纳米片比表面积是g-C3N4的20倍 g-C3N4 纳米片可见光解水制氢能力是g-C3N4的2.6倍 光催化剂 比表面积 (m2?g-1) C/N摩尔比 产氢速率(μmol?h-1?g-1) g-C3N4 4.3 0.68 90 g-C3N4纳米片 87.5 0.67 230 回流纳米片 84.0 0.67 220 比表面积和光催化产氢性能 光催化降解性能 紫外光降解MB提高了2.8倍；可见光降解MB提高了2.4倍 太阳光降解MB提高了2.9倍；可见光降解苯酚提高了3.1倍 光电流的增强效应 紫外光 可见光 (λ 420 nm) 紫外光光电流响应值提高了3倍 2. 可见光光电流响应值提高了3.5倍 3. g-C3N4纳米片有效地提高光生电子空穴分离和迁移 光催化性能提高机理 EIS 1. 高比表面有利于表面产生更多光催化反应活性位 2. 单层纳米片结构有利于光生电子空穴的分离和光生 载流子的迁移 3. 回流有效消除了g-C3N4纳米片的结构缺陷，抑制了 光生电子空穴的复合 清华大学化学系 量子点结构提高光催化性能 Journal?of?Materials?Chemistry?A，2014，2（41），17521 方法特点： 无模板原位剪裁g-C3N4 可实现纳米孔和量子点的转换 剪裁g-C3N4在纳米孔-量子点-梭形形貌之间可调 可拓展到石墨烯剪裁，有望实现层状材料剪裁 方法简单环境友好 化学剪裁制备g-C3N4量子点 化学剪裁法：基于传统工业生产的肟化反应的特点和原理， 发现了一种简单可控的剪裁g-C3N4尺寸的方法。 g-C3N4 化学剪裁制备g-C3N4量子点 Journal?of?Materials?Chemistry?A，2014，2（41），17521 采用双氧水和氨水可以把体相C3N4裁剪为量子点结构 化学剪裁制备g-C3N4量子点 通过对体相C3N4裁剪程度调控，实现形貌结构调控 纳米片的厚度2.5nm，大约7层C-N 量子点厚度约0.7nm，约两层 化学剪裁制备g-C3N4量子点