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国电宁夏太阳能内部培训教材 第十章 硅芯制备 9 - TOC \o 1-3 \h \z \u 第十章 硅芯制备 - 2 - 第一节、硅芯的拉制 - 2 - 一、硅芯制备的工艺原理 - 2 - 1. 工艺原理 - 2 - 2. 工艺流程方框图 - 2 - 第二节、硅芯制备的主体设备 - 2 - 1. 硅芯炉 如图2-1 - 2 - 第三节、硅芯制备的工艺操作 - 2 - 一、开炉前的准备 - 2 - 二、装炉操作 - 3 - 三、开炉与正常运行运行 - 3 - 四、停炉及出炉 - 4 - 五、停车 - 4 - 第四节、硅芯制备的控制要点 - 5 - 一、 高纯卫生意识 - 5 - 二、 直径均匀性 - 5 - 三、 电阻率均匀性 - 5 - 四、 拉制硅芯的一般事故处理 - 5 - 1、熔区流跨 - 5 - 2、避免熔区结晶 - 6 - 3.突然断电 - 6 - 4.断冷却水 - 6 - 5.断氢气 - 6 - 6.氢气泄露 - 6 - 附件：一. 硅芯拉制安全操作规程 - 6 - 第五节、硅芯的腐蚀与清洗 - 8 - 一、腐蚀清洗原理和流程 - 8 - 1.腐蚀的原理 - 8 - 2.腐蚀流程 - 9 - 第十章 硅芯制备 第一节、硅芯的拉制 一、硅芯制备的工艺原理 工艺原理及工艺流程方框图 1. 工艺原理 高频电源采用单回路电感反馈式自激振荡电路，把XXHZ工频电流转换成高频电流，此高频电流在感应线圈内形成强大的高频磁场,被加工的金属导体在涡流和磁场耗损的作用下,被迅速加热。 硅在中温以上温度下具有金属导体的性质,所以利用上述物理现象将硅棒间接加热(预热)到中温以上温度后,即可直接通过高频电源对硅棒进行加热和控制熔区。 2. 工艺流程方框图 基座硅棒 基座硅棒 装 炉 氩气氛围下拉制 出 炉 入箱送腐蚀清洗 第二节、硅芯制备的主体设备 1. 硅芯炉 如图2-1 第三节、硅芯制备的工艺操作 3.1工艺过程说明 将已作表面清洗的基座硅棒装入硅芯炉内，先抽真空再充氩气，在氩气气氛下送上高频电压，通过高频预加热将基座硅棒上端一小部分区域熔化，然后将籽晶与硅熔体熔接在一起，并以合适的速度提拉从而制备直径为7～10mm，长度为2500mm的硅芯，硅芯拉制完毕，将硅芯从硅芯炉中取出，放入硅芯储存箱中送交腐蚀清洗工序。 一、开炉前的准备 1、打开上炉门，用脱脂纱布沾上分析纯的乙醇擦净炉膛、上轴和籽晶头，关闭并拧紧上炉门。 2、打开下炉门，用脱脂纱布沾上分析纯的乙醇擦净炉膛、窥视镜、线圈、下轴和硅芯料基座卡盘。 3 、戴上洁净手套将硅芯料装入基座卡盘中，经检验查硅芯料装正后，关闭并拧紧下炉门。 4、操作传动机构，下降上轴使籽晶处于感应线圈中间并接近高频线圈的预热位置。 图2-1硅芯炉结构简图 二、装炉操作 1、关闭炉门放气阀，合上真空泵电源开关，打开真空阀对炉膛抽真空。 2、打开高频电源冷却水阀门，调节高频输出功率至“0” 3、当真空度显示为3Pa时，将上下炉门再紧固一遍，此时，打开炉体冷却水阀。 4、当真空度显示为3Pa时，关闭真空阀和真空泵，打开氩气进气阀，调节氩气流量，向炉膛内通入氩气至真空表为0.01MPa时，关闭氩气进气阀再打开真空泵和真空阀抽真空，当真空度显示为3Pa时关闭真空阀和真空泵，打开氩气进气阀，调节氩气流量，向炉膛内通入氩气至真空表为0.01MPa。 三、开炉与正常运行运行 1、调节高频输出功率，使基座硅棒顶端的熔区保持在拉芯温度，温度要保持在1400℃左右，温度过低熔区会出现凝固；过高熔区会出现流跨现象。 2、开启转动机构，调节上轴提拉速度，使硅芯料从熔区中向上拉出硅芯。具体操作如下： 1）上（下）轴快速运动操作 A. 按下电柜操作面板上的电源开关，则驱动器进入待工作状态。先选定快1 或快2 速度(快1 速度大于快速度2)，根据需要运动的方向，选定向上运动或向下运动，则电机开始运行，其速度和位移可以在表头显示出来。 B. 当快速运动操作完毕，切断面板上快速部分的电源开关，快速电源对籽晶托盘有锁定作用。 C. 上下轴分别装有上下限位，在面板上装有上轴上限位、上轴下限位、下轴上限位、下轴下限位、水压等5 个报警指示灯，当电机带动装置运行到限位开关处，电机迅速停止转动，以防止撞坏机械部分，面板报警灯亮，蜂鸣器报警。 2）上（下）轴慢速运动操作 A. 将速度给定电位器逆时针旋回零给定位置，然后按下操作面板上的电源开关，则驱动器进入待工作状态。